[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法有效
申请号: | 201680058117.2 | 申请日: | 2016-10-07 |
公开(公告)号: | CN108140628B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 胁山悟;清水完;林利彦;中村卓矢;城直树 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体装置,所述半导体装置包括第一半导体元件,所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述半导体装置包括第二半导体元件,所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述半导体装置包括微凸块,所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部,并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。本发明还涉及用于制造所述半导体装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
摄像装置,包括:第一半导体元件,所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘,所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层;第二半导体元件,所述第二半导体元件包括至少一个电极;和微凸块,所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极,其中所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部,并且其中所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680058117.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:各向异性热导管
- 下一篇:模制体和用于高电压应用的具有模制体的电气装置