[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.半导体装置，包括：

第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘，所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层；

第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极；和

微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极，

其中所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且

其中所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元，

其中，所述至少一个凸块焊盘包括第三金属层，并且所述第一金属层在所述第三金属层上，

其中，所述第一金属层包括Co，所述第二金属层的所述扩散部扩散到所述微凸块中，并且所述第三金属层由TiN形成，

所述第二金属层具有比所述第一金属层更高的对所述微凸块的扩散性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述微凸块包括Sn基焊料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述至少一个凸块焊盘包括具有不同直径的多个凸块焊盘，并且，

所述至少一个电极包括对应于所述多个凸块焊盘的多个电极。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述不同直径是根据待连接的所述多个电极的用途而彼此不同的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述微凸块的直径对应于所述至少一个凸块焊盘的直径。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一金属层的平均厚度为15nm以上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第三金属层的平均厚度为10nm以上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二金属层由Cu、Ni、Pd、Au或者Pt形成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述至少一个凸块焊盘是设置在所述第一半导体元件的表面上的开口部，用于将所述微凸块连接到所述第一半导体元件中的贯通电极。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，

所述至少一个凸块焊盘是设置在所述第一半导体元件的表面上的开口部，用于将所述微凸块连接到所述第一半导体元件中的金属布线。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，

其中，所述第一半导体元件是所述像素单元，并且所述第二半导体元件是逻辑芯片，该逻辑芯片通过晶片上芯片连接而被连接到所述第一半导体元件。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中

所述半导体装置是摄像装置。