[发明专利]激光辅助晶化Ge/Si衬底GaAs单结太阳能电池及其制备工艺在审
| 申请号： | 201611259616.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269881A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上GaAs单结太阳能电池制备工艺，所述制备工艺包括：(a)制作Si衬底层；(b)在所述Si衬底层上采用磁控溅射法形成Ge外延层；(c)采用CVD工艺在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀所述氧化层；(f)在所述Ge外延层上制备GaAs单结电池；(g)依次制备接触层、反射膜和接触电极，最终形成所述GaAs单结太阳能电池。本发明制备的GaAs单结太阳能电池通过采用LRC工艺可有效降低Ge/Si衬底的位错密度，使基于Ge/Si衬底的GaAs单结太阳能电池器件质量提高，光电转化效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 单结太阳能电池 外延层 衬底 制备工艺 晶化 制备 激光辅助 衬底层 氧化层 光电转化效率 磁控溅射法 接触电极 反射膜 接触层 单结 刻蚀 位错 电池 制作 | ||
【主权项】：
1.一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上GaAs单结太阳能电池制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：(a)制作Si衬底层；(b)在所述Si衬底层上采用磁控溅射法形成Ge外延层；(c)采用CVD工艺在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀所述氧化层；(f)在所述Ge外延层上制备GaAs单结电池；(g)依次制备接触层、反射膜和接触电极，最终形成所述GaAs单结太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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