[发明专利]芯片封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201611258231.8 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106684057B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 符会利;蔡树杰;胡骁 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种芯片封装结构,包括基板、封装于所述基板的上表面的多个芯片和多个分离器件、以及散热装置,所述散热装置包括层压设置的绝缘层和导热层,所述绝缘层完全包覆并贴合所述多个芯片、多个分立器件的外表面及所述基板的上表面,用于将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量传导至所述导热层和所述基板上,以通过所述导热层及所述基板将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量散除。另,本发明实施例还提供一种芯片封装结构的制造方法。所述芯片封装结构通过设置所述散热装置,可以实现均匀、高效的系统级芯片封装散热。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括基板、封装于所述基板的上表面的多个芯片和多个分离器件、以及散热装置,所述散热装置包括层压设置的多层绝缘层和多层导热层,多层所述绝缘层和多层所述导热层交替层压设置,且底层为所述绝缘层,顶层为所述导热层,位于底层的所述绝缘层完全包覆并贴合所述多个芯片、多个分立器件的外表面及所述基板的上表面,用于将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量传导至所述导热层和所述基板上,以通过位于顶层的所述导热层及所述基板将所述多个芯片及多个分立器件产生的热量散除。
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