[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201611232698.5 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN107046009B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 香月尚 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/495;H01L23/498
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的半导体装置能抑制大型化,并确保可允许来自半导体元件的发热的热容量。半导体装置(100)中,引线框架(151)的一端部经由焊料(141)连接到电路图案(112c),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。同样,引线框架(152)的一端部经由焊料(142)连接到电路图案(112d),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。此时,被引线框架(151)覆盖的电路图案(112a、112b)分别埋设在绝缘层(131、132)中。另外,半导体元件(180)隔着焊料(170)设置在引线框架(151)的电路图案(112c)上方的区域。引线(190)将半导体元件(180)与引线框架(152)的电路图案(112d)上方的区域电连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:层叠基板,该层叠基板具有绝缘板以及设置在所述绝缘板的主面且包含第一电路图案的电路板;壳体,该壳体设置于所述层叠基板的外周缘并包围所述外周缘;第一引线框架,该第一引线框架的一侧从所述壳体向外部设置,另一侧与所述第一电路图案相连;以及半导体元件,该半导体元件设置在所述壳体内的所述第一引线框架上。
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