[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的半导体装置能抑制大型化，并确保可允许来自半导体元件的发热的热容量。半导体装置(100)中，引线框架(151)的一端部经由焊料(141)连接到电路图案(112c)，另一端部从壳体(160)向外侧延伸。同样，引线框架(152)的一端部经由焊料(142)连接到电路图案(112d)，另一端部从壳体(160)向外侧延伸。此时，被引线框架(151)覆盖的电路图案(112a、112b)分别埋设在绝缘层(131、132)中。另外，半导体元件(180)隔着焊料(170)设置在引线框架(151)的电路图案(112c)上方的区域。引线(190)将半导体元件(180)与引线框架(152)的电路图案(112d)上方的区域电连接。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置包含功率半导体元件，用作功率转换装置或开关装置。例如，半导体装置连接有包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等的半导体元件，能起到开关装置的作用。

这种半导体装置中，具有：主电路基板，该主电路基板具备绝缘层，该绝缘层的正面形成有主电路布线图案，背面形成有金属板；以及半导体元件，该半导体元件隔着焊料设置在主电路布线图案上(例如参照专利文献1)。半导体元件所产生的热量从金属板释放。

此外，半导体装置中，为了充分确保来自半导体元件的发热，优选增大主电路布线图案的厚度，来增加能允许的热容量。

然而，半导体装置中，若增大主电路布线图案的厚度，则由于形成该主电路布线图案的蚀刻、以及需要爬电距离，从而需要在主电路布线图案之间设置一定程度的宽度。因此，其结果会导致半导体装置的大型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013－258321号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

半导体装置中，若为了抑制大型化而例如限制主电路布线图案的厚度，则如上所述，主电路布线图案的可允许半导体元件发热的热容量也会受到限制。因此，半导体装置存在如下问题：若使半导体元件工作，则温度会立即升高并会超过工作温度范围，可能会产生故障、误动作。

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能抑制大型化并能确保可允许来自半导体元件的发热的热容量的半导体装置。

解决技术问题所采用的技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，包括：层叠基板，该层叠基板具有绝缘板以及设置在所述绝缘板的主面且包含第一电路图案的电路板；壳体，该壳体设置于所述层叠基板的外周缘并包围所述外周缘；第一引线框架，该第一引线框架的一侧从所述壳体向外部设置，另一侧与所述第一电路图案相连；以及半导体元件，该半导体元件设置在所述壳体内的所述第一引线框架上。

发明效果

根据本发明所揭示的技术，能抑制大型化并抑制半导体装置的可靠性降低。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的剖视图。

图2是实施方式的半导体装置的俯视图。

图3是参考例的半导体装置的剖视图。

图4是参考例的半导体装置的俯视图。

图5是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法的图(其一)。

图6是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法的图(其二)。