[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 201611232698.5 | 申请日: | 2016-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN107046009B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 香月尚 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
层叠基板,该层叠基板具有绝缘板以及设置在所述绝缘板的主面且包含第一电路图案的电路板;
壳体,该壳体设置于所述层叠基板的外周缘并包围所述外周缘;
第一引线框架,该第一引线框架的一侧从所述壳体向外部设置,另一侧与所述第一电路图案相连;
以及
半导体元件,该半导体元件设置在所述壳体内的所述第一引线框架上,
该半导体装置还具有:
第二电路图案,该第二电路图案包含于所述电路板且设置于所述绝缘板的主面,并配置在所述绝缘板的主面与所述第一引线框架之间;以及
绝缘层,该绝缘层中埋设有所述第二电路图案,并设置于所述第二电路图案与所述第一引线框架的间隙,该绝缘层与所述第一电路图案的侧部之间设置有间隙,
所述半导体元件的发热在所述第一引线框架和所述第一电路图案中传导,
所述第一引线框架比所述第一电路图案厚。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体元件设置在所述第一引线框架的与所述第一电路图案上方相对的区域。
3.如权利要求1至2的任一项所述的半导体装置,其特征在于,具有:
第三电路图案,该第三电路图案包含于所述电路板且设置于所述绝缘板的主面,并夹着所述第一电路图案配置在所述第二电路图案的相反侧;
第二引线框架,该第二引线框架的一侧从所述壳体向外部设置,另一侧与所述第三电路图案相连;以及
引线,该引线将所述半导体元件与所述第二引线框架的与所述第三电路图案上方相对的区域连接。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二引线框架比所述第三电路图案厚。
5.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二引线框架与所述第三电路图案通过焊料或导电性粘接剂相连。
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