[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一定义有至少一存储区域的基底、一形成于该基底上的网目型隔离结构、以及多个存储电极接触插塞。该存储区域内设置有多个存储单元。该网目型隔离结构包含有多个基本上同质的介电侧壁，以及多个由该多个介电侧壁定义的第一开口。该多个存储电极接触插塞分别设置于该多个第一开口内，且分别与该多个存储单元电连接。

主权项

1.一种半导体元件，包含有：基底，该基底定义有至少一存储区域以及一周边区域，且该存储区域内设置有多个存储单元；网目型隔离结构，形成于该基底上的该存储区域中，该网目型隔离结构包含有多个同质且相同蚀刻率的介电侧壁，以及由该多个介电侧壁定义的多个第一开口与第二开口，其中该多个第二开口位于邻近该周边区域的该存储区域中；多个存储电极接触插塞，分别设置于该多个第一开口内，且分别与该多个存储单元电连接；以及多个绝缘层，形成于该多个第二开口内，且该多个绝缘层的蚀刻率不同于该多个介电侧壁的蚀刻率。