[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包含有：

基底，该基底定义有至少一存储区域以及一周边区域，且该存储区域内设置有多个存储单元；

网目型隔离结构，形成于该基底上的该存储区域中，该网目型隔离结构包含有多个同质且相同蚀刻率的介电侧壁，以及由该多个介电侧壁定义的多个第一开口与第二开口，其中该多个第二开口位于邻近该周边区域的该存储区域中；

多个存储电极接触插塞，分别设置于该多个第一开口内，且分别与该多个存储单元电连接；以及

多个绝缘层，形成于该多个第二开口内，且该多个绝缘层的蚀刻率不同于该多个介电侧壁的蚀刻率。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包含多个形成于该基底内的埋藏式栅极，以及多个形成于各埋藏式栅极相对两侧的该基底内的源极区域。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多个第一开口分别对应于该多个源极区域，且该多个存储电极接触插塞分别与该多个源极区域电连接。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该网目型隔离结构包含有多个直肋与多个横肋。

5.如权利要求4所述的半导体元件，还包含多个位线结构，用以形成该多个横肋。

6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该多个直肋与该多个介电侧壁同质。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多个介电侧壁包含有氮化硅或氮碳化硅。

8.一种半导体元件的制作方法，包含有：

提供一基底，该基底上定义有至少一存储区域，且该存储区域内的该基底内形成有多个存储单元，该基底上还形成有第一绝缘层，该存储区域内的该第一绝缘层内形成有多个位线结构，该第一绝缘层包含有一第一绝缘材料，该多个位线结构沿一第一方向延伸，并沿一第二方向排列，且该第一方向与该第二方向彼此垂直；

在该基底上形成多个第一掩模图案，该多个第一掩模图案沿该第二方向延伸，并沿该第一方向排列，以使该第一绝缘层形成多个第一暴露部分；

移除该第一绝缘层的该多个第一暴露部分，以于该第一绝缘层内形成多个凹槽；

在该基底上形成第二绝缘层，该第二绝缘层填满该多个凹槽，并使该第一绝缘层形成多个第二暴露部分，该第二绝缘层包含有一第二绝缘材料，且该第二绝缘材料与该第一绝缘材料不同；

移除该第一绝缘层的该多个第二暴露部分，以于该基底上形成一网目型隔离结构，该网目型隔离结构包含有多个同质的介电侧壁以及由该多个介电侧壁定义的多个开口；以及

在该多个开口内分别形成一存储电极接触插塞。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，其中该多个存储单元分别包含一埋藏式栅极，形成于该基底内。

10.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，其中该多个位线结构还包含多个位线、位线接触插塞、多个形成于该多个位线的侧壁的间隙壁、以及多个覆盖该多个位线的顶部的覆盖层。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制作方法，其中该多个间隙壁与该多个覆盖层包含该第二绝缘材料。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其中该多个间隙壁与该多个覆盖层形成该网目型隔离结构的多个横肋，该第二绝缘层形成该网目型隔离结构的多个直肋。

13.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，其中该多个间隙壁与该多个第二绝缘层形成该网目型隔离结构的该多个介电侧壁，且该多个位线通过该多个介电侧壁而与该多个存储电极接触插塞在实体上且电性上隔离。