[发明专利]沟道电流增强的晶体管和功率电子器件在审
| 申请号： | 201611127517.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615802A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王敬;陈文捷;梁仁荣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟道电流增强的晶体管和功率电子器件，其中该沟道电流增强的晶体管包括：第一半导体层，具有第一导电类型且为轻掺杂；形成在第一半导体层之中的源区，具有第一导电类型且为重掺杂；形成在源区之上的源极金属层；形成在第一半导体层之中的沟道区，具有第二导电类型；形成在沟道区之上的栅结构；形成在第一半导体层之中且在源区和沟道区之外的漂移区；形成在第一半导体层之下的漏极金属层；形成在漂移区之上的发光结构，用于产生用于激发第一半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的沟道电流增强的晶体管和功率电子器件，将发光结构设置在漂移区之上，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 沟道电流 晶体管 功率电子器件 沟道区 漂移区 源区 第一导电类型 发光结构 空穴 漏极金属层 源极金属层 导电类型 导通电流 关态电流 影响器件 轻掺杂 栅结构 光照 掺杂 激发 | ||
【主权项】：
1.一种沟道电流增强的晶体管，其特征在于，包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型且为轻掺杂；形成在所述第一半导体层之中的源区，所述源区具有第一导电类型且为重掺杂；形成在所述源区之上的源极金属层；形成在所述第一半导体层之中的沟道区，所述沟道区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型具有相反的导电类型；形成在所述沟道区之上的栅结构；形成在第一半导体层之中且在所述源区和所述沟道区之外的漂移区；形成在所述第一半导体层之下的漏极金属层；形成在所述漂移区之上的发光结构，其中，所述发光结构用于产生用于激发所述第一半导体层中电子和空穴对的光线。
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