[发明专利]一种半导体MIM电容结构的制作方法及其结构

摘要

本发明公开了一种半导体MIM电容结构的制作方法及其结构，是在半导体组件上沉积第一金属层之后，通过光阻于第一金属层之上的部分形成显开窗口，沉积金属于显开窗口之内形成第二金属层，第二金属层是若干彼此间隔的分立结构或部分镂空的连续结构，且第二金属层与第一金属层共同构成第一电极板，然后再形成介质层和第二电极板，第二金属层的设置增大了电容面积，进而增大了电容量。本发明的方法可控性以及可设计好，适于工业化生产及实际应用。

主权项

1.一种半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1） 提供半导体组件，所述半导体组件包括半导体基底以及设置于所述半导体基底之上的钝化层；2）沉积金属于所述钝化层之上的预设区域形成第一金属层；3）涂覆光阻，对所述光阻曝光、显影以去除所述第一金属层之上的部分光阻并形成裸露所述第一金属层的显开窗口；4）沉积金属于所述显开窗口之内形成第二金属层，所述第二金属层是若干彼此间隔的分立结构或部分镂空的连续结构，所述第二金属层与所述第一金属层共同构成第一电极板；5）剥离光阻；6）于所述第一电极板表面沉积介电材料形成介质层；7）于所述步骤6）的结构之上形成聚酰亚胺层，并去除所述聚酰亚胺层之对应所述第一电极板上方部分；8）沉积金属于所述介质层之上形成第三金属层，所述第三金属层构成第二电极板，第二电极板的边缘覆盖至所述聚酰亚胺层之上，所述第一电极板、第二电极板以及夹设于第一电极板和第二电极板之间的介质层构成MIM电容。