[发明专利]一种半导体MIM电容结构的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1） 提供半导体组件，所述半导体组件包括半导体基底以及设置于所述半导体基底之上的钝化层；

2）沉积金属于所述钝化层之上的预设区域形成第一金属层；

3）涂覆光阻，对所述光阻曝光、显影以去除所述第一金属层之上的部分光阻并形成裸露所述第一金属层的显开窗口；

4）沉积金属于所述显开窗口之内形成第二金属层，所述第二金属层是若干彼此间隔的分立结构或部分镂空的连续结构，所述第二金属层与所述第一金属层共同构成第一电极板；

5）剥离光阻；

6）于所述第一电极板表面沉积介电材料形成介质层；

7）于所述步骤6）的结构之上形成聚酰亚胺层，并去除所述聚酰亚胺层之对应所述第一电极板上方部分；

8）沉积金属于所述介质层之上形成第三金属层，所述第三金属层构成第二电极板，第二电极板的边缘覆盖至所述聚酰亚胺层之上，所述第一电极板、第二电极板以及夹设于第一电极板和第二电极板之间的介质层构成MIM电容。

2.根据权利要求1所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层和第三金属层分别选自钛、金、铂、镍、钛钨的一种或其组合；所述介质层选自氮化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：所述第二金属层的厚度为0.5~2 μm。

4.根据权利要求1或3所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：所述介质层的厚度为50~120 nm。

5.根据权利要求1所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：所述沉积金属的方法包括蒸镀、溅镀和电镀；所述沉积介电材料的方法包括化学气相沉积。

6.根据权利要求1所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：对所述光阻曝光、显影以形成若干平行间隔排列的条形显开窗口，从而形成相应分立条形结构的所述第二金属层。

7.根据权利要求1所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：对所述光阻曝光、显影以形成若干间隔的块状显开窗口，从而形成相应分立块状结构的所述第二金属层。

8.根据权利要求1所述的半导体MIM电容结构的制作方法，其特征在于：对所述光阻曝光、显影以形成网状显开窗口，从而形成相应网状结构的所述第二金属层。

9.一种采用权利要求1所述的制作方法制作的半导体MIM电容结构，其特征在于：包括半导体组件以及设置于所述半导体组件之上的MIM电容，所述半导体组件包括半导体基底以及设置于所述半导体基底之上的钝化层，所述MIM电容包括第一电极板、第二电极板以及夹设于所述第一电极板和第二电极板之间的介质层；所述第一电极板设置于所述钝化层之上，包括第一金属层和第二金属层；其中所述第二金属层设于所述第一金属层之上，所述第二金属层是若干彼此间隔的分立结构或部分镂空的连续结构；还包括聚酰亚胺层，聚 酰亚胺层设于钝化层之上第一电极板之外的区域并覆盖至第一电极板的两侧，第二电 极板 7的边缘覆盖至聚酰亚胺层之上。

10.根据权利要求9所述的半导体MIM电容结构，其特征在于：所述第二金属层是若干平行间隔排列的条形结构、若干分立的块状结构或网状结构。

11.根据权利要求9所述的半导体MIM电容结构，其特征在于：所述第二金属层的厚度为0.5~2 μm。

12.根据权利要求9或11所述的半导体MIM电容结构，其特征在于：所述介质层的厚度均一，范围为50~120 nm。

13.根据权利要求9所述的半导体MIM电容结构，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层和第三金属层分别选自钛、金、铂、镍、钛钨的一种或其组合；所述介质层选自氮化硅或氮氧化硅。