[发明专利]半导体装置

摘要

本公开提供一半导体装置。上述半导体装置包括源极/漏极、栅极、形成于上述栅极的侧壁上的栅极间隔物、以及形成于上述源极/漏极上的介电元件。上述栅极间隔物形成于栅极与介电元件之间。形成一凹口于上述介电元件的上表面中。形成介电层于介电元件的上表面及上述凹口之上，使得上述介电层的一部分呈现出下凹的形状。蚀刻出穿过上述介电层及介电元件的接触孔。上述接触孔露出源极/漏极。填充上述接触孔以形成源极/漏极接点。

主权项

一种半导体装置，包括:一第一晶体管，包括:一源极/漏极区；一栅极结构；一栅极间隔物，设置于该栅极结构的侧壁上；一第一介电材料，邻近于该栅极间隔物的一上部设置；一第二介电材料，邻近于该栅极间隔物的一下部设置，其中该第二介电材料与该第一介电材料的材料组成不同。