[发明专利]一种减少光刻标记图形损失的方法和半导体结构有效
| 申请号： | 201611082385.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783803B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;李蕾 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明特别涉及一种减少光刻标记图形损失的方法和半导体结构。方法包括以下步骤：步骤1，在半导体衬底上沉积控制栅层；步骤2，对所述控制栅层的预设位置进行刻蚀直到露出所述半导体衬底，形成至少一个凸起图形；步骤3，在所述凸起图形的上表面以及凸起图形外侧沉积介质层；步骤4，对所述介质层的上表面进行化学机械平坦化处理，直至露出所述凸起图形的上表面。通过本发明的方法可以使凸起图形与介质层接触面积变小，从而减少在化学机械平坦化过程中介质层与凸起图形的速率不一样导致的光刻标记图形的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 光刻 标记 图形 损失 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种减少光刻标记图形损失的方法,其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体衬底上沉积控制栅层；步骤2，对所述控制栅层的预设位置进行刻蚀直到露出所述半导体衬底，形成至少一个凸起图形；步骤3，在所述凸起图形上表面以及凸起图形外侧沉积介质层；步骤4，对所述介质层的上表面进行化学机械平坦化处理，直至露出所述凸起图形的上表面。
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