[发明专利]晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201611000020.4 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108074980A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区；对所述源漏掺杂区进行防扩散离子注入；在防扩散离子注入后，进行退火工艺处理以激活源漏掺杂区中的掺杂离子。本发明提供的晶体管的形成方法，通过对所述源漏掺杂区进行防扩散离子注入，可以有效阻挡掺杂离子由源漏掺杂区向沟道区域的扩散，从而降低短沟道效应的发生几率，进而提高晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏掺杂区 晶体管 防扩散 衬底 离子 掺杂离子 栅极结构 短沟道效应 电学性能 沟道区域 退火工艺 激活 阻挡 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区；对所述源漏掺杂区进行防扩散离子注入；在防扩散离子注入后，进行退火工艺处理以激活源漏掺杂区中的掺杂离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611000020.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于垂直隧穿的场效应晶体管、生物传感器及其制备方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
