[发明专利]晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201611000020.4 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108074980A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源漏掺杂区 晶体管 防扩散 衬底 离子 掺杂离子 栅极结构 短沟道效应 电学性能 沟道区域 退火工艺 激活 阻挡 扩散 | ||
1.一种晶体管的形成方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区；
对所述源漏掺杂区进行防扩散离子注入；
在防扩散离子注入后，进行退火工艺处理以激活源漏掺杂区中的掺杂离子。
2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子注入步骤包括：对所述源漏掺杂区进行碳离子或氮离子注入。
3.如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子注入的离子为碳离子，离子注入的能量范围为5-15keV，剂量范围为1.0E14-2.0E15atm/cm
或者，所述防扩散离子注入的离子为氮离子，离子注入的能量范围为3-12keV，剂量范围为1.0E14-2.0E15atm/cm
4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在衬底上形成栅极结构之后，在栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区之前，在所述栅极结构两侧的侧壁上形成第一侧墙；
在形成源漏掺杂区之后，进行防扩散离子注入之前，去除所述第一侧墙，露出栅极结构和源漏掺杂区之间的衬底；
所述对源漏掺杂区进行防扩散离子注入的步骤中，还对露出的栅极结构和源漏掺杂区之间的衬底进行防扩散离子注入。
5.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氮化硅。
6.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在形成栅极结构之后，形成第一侧墙之前，在栅极结构两侧的侧壁上形成偏移侧墙；
对所述偏移侧墙露出的栅极结构两侧衬底进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；
对所述偏移侧墙露出的栅极结构两侧衬底进行口袋离子注入，形成口袋离子注入区；
去除所述第一侧墙的步骤中，去除所述第一侧墙露出所述轻掺杂区和所述口袋离子注入区；
对所述栅极结构和源漏掺杂区之间的衬底进行防扩散离子注入的步骤包括：对所述轻掺杂区和所述口袋离子注入区进行防扩散离子注入。
7.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：进行防扩散离子注入之后，进行退火工艺处理之前，形成覆盖栅极结构侧壁的第二侧墙。
8.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料为氮化硅。
9.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成第二侧墙层的步骤包括：形成保型覆盖所述栅极结构和所述源漏掺杂区的绝缘层；
去除部分厚度的所述绝缘层，位于所述栅极结构侧壁上的剩余绝缘层用作第二侧墙；
去除部分厚度的所述绝缘层的步骤中，位于所述源漏掺杂区上的剩余绝缘层用作防扩散层。
10.如权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述防扩散层的厚度为10-60埃。
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