[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610959360.3 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106898596A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄章斌;杜贤明;杨庆荣;梁世纬;郭鸿毅;赖昱嘉;蔡豪益;刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括管芯，管芯包括设置在管芯上方的管芯焊盘；导电构件，设置在管芯焊盘上方并且与管芯焊盘电连接；模制件，围绕管芯和导电构件；以及再分布层(RDL)，设置在模制件、导电构件和管芯上方，并且包括介电层和互连结构，其中，互连结构包括接合部分和多个通孔部分，接合部分设置在介电层上方，并且多个通孔部分从接合部分突出穿过介电层到达导电构件，以及多个通孔部分中的每一个都与导电构件至少部分地接触。本发明还提供了制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：管芯，包括设置在所述管芯上方的管芯焊盘；导电构件，设置在所述管芯焊盘上方并且与所述管芯焊盘电连接；模制件，围绕所述管芯和所述导电构件；以及再分布层(RDL)，设置在所述模制件、所述导电构件和所述管芯上方，并且包括介电层和第一互连结构，其中，所述第一互连结构包括接合部分和多个通孔部分，所述接合部分设置在所述介电层上方，所述多个通孔部分从所述接合部分突出穿过所述介电层到达所述导电构件，并且所述多个通孔部分中的每一个都与所述导电构件至少部分地接触。
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