[发明专利]一种倒装LED芯片电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610954442.9 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106531863A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;刘梦玲;郑晨居;刘星童;高艺霖 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片电极及其制备方法。一种倒装LED芯片电极由金属掺杂薄膜层组成，金属掺杂薄膜层主体为高反射率的金属材料，通过共溅射的方法在其中掺杂有1~10%具有高功函数的金属材料，由此金属掺杂薄膜层形成的P电极结构简单，不仅具有高的反射率，能有效地提高出光率，还能与P型半导体形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片电极，其特征在于，为金属掺杂薄膜，金属掺杂薄膜的主体为具有高反射率的金属Ag或Al材料，掺杂金属为具有高功函数的金属，掺杂的原子比例为1%~10%。
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- 本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的反射电极；在反射电极上的第一凸块；以及在反射电极与第一凸块之间的第一防剥离层。
- 一种双层绝缘层倒装芯片-201820749644.4
- 刘兆;吕奇孟;邬新根;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 - 江西乾照光电有限公司
- 2018-05-18 - 2018-11-23 - H01L33/36
- 本实用新型涉及一种双层绝缘层倒装芯片，包括衬底，位于衬底上依次层叠设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层、金属反射层、防扩散层、第一绝缘层、金属电极层、第二绝缘层、焊接电极层；其中，金属电极层包括第一金属电极层和第二金属电极层，在平行于衬底表面的平面内，第一金属电极层为连通的整片金属电极层，且焊接电极层中的第二焊接电极层完全覆盖第二金属电极层。因此，减少了金属电极层边缘相对于第一绝缘层之间的台阶个数，从而避免了后续覆盖第二绝缘层后形成台阶的数量，进而减少了第二绝缘层因覆盖在台阶处出现破损的情况，因此，降低了因第二绝缘层破损导致的焊接电极层与金属电极层之间出现漏电的风险。
- 一种紫外发光器-201610417700.X
- 武帅;郑远志;梁旭东;张国华 - 青岛杰生电气有限公司
- 2016-06-15 - 2018-11-09 - H01L33/36
- 本发明公开了一种紫外发光器，包括N型电极和P型电极，所述N型电极和/或P型电极连接有反光件；当所述N型电极连接有反光件时，所述N型电极的反光件设置于所述紫外发光器的N型半导体层内；当所述P型电极连接有反光件时，所述P型电极的反光件设置于所述紫外发光器的P型半导体层内；当所述N型电极和P型电极均连接有反光件时，所述N型电极的反光件设置于所述紫外发光器的N型半导体层内，所述P型电极的反光件设置于所述紫外发光器的P型半导体层内。反光件对紫外线具有反射作用，可以提高紫外发光器的出光效果。
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