[发明专利]半导体集成电路螺旋电感有效

专利信息
申请号: 201610934537.4 申请日: 2016-10-31
公开(公告)号: CN106298736B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 谭开洲;崔伟;杨永晖;朱坤峰;张霞;黄东;钱呈;梁柳洪;汪璐;张静;陈俊;韩卫敏;吴雪;刘娇 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 代理人: 江涛
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种半导体集成电路螺旋电感,包括衬底、多层介质层和金属布线层,其中衬底上形成有多层介质层,且每层介质层上都形成有金属布线层,针对每层介质层,介质层上开设有螺旋状的通槽,在通槽内填充有钨金属,以在介质层中形成钨金属墙,且各个介质层中钨金属墙相互重叠,金属布线层用于连接各个介质层中的钨金属墙。本发明通过设计多层具有螺旋状钨金属墙的介质层,并使介质层之间的金属布线层将各个介质层中的钨金属墙互连,可以增大螺旋电感线圈的厚度,从而可以降低螺旋电感的线圈金属电阻损耗和趋肤效应引起的损耗,提高螺旋电感的品质因数。
搜索关键词: 半导体 集成电路 螺旋 电感
【主权项】:
1.一种半导体集成电路螺旋电感,其特征在于,包括衬底、多层介质层和金属布线层,其中所述衬底上形成有多层介质层,且每层介质层上都形成有金属布线层,针对每层介质层,所述介质层上开设有螺旋状的通槽,在所述通槽内填充有钨金属,以在所述介质层中形成钨金属墙,且各个介质层中钨金属墙相互重叠,每一金属布线层覆盖于一钨金属墙上,用于保护介质层中的钨金属墙及连接下一层介质层中钨金属墙;所述衬底包括多晶衬垫层和隔离深槽层,其中所述隔离深槽层上形成有所述多晶衬垫层,且在所述多晶衬垫层上形成有多层介质层,所述半导体集成电路螺旋电感的中心引出线从所述多晶衬垫层上与所述钨金属墙的螺旋中心端对应位置处,竖直通过各层介质层和金属布线层,从顶层金属布线层引出。
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