[发明专利]无机-有机杂化超分子型非线性光学晶体及其制法和用途有效
| 申请号： | 201610888730.9 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106521632B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 罗军华;孙志华;姬成敏;张书泉;李丽娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/14;C30B7/04;C30B7/08;G02F1/355 |
| 代理公司： | 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 | 代理人： | 方金芝;黄秀婷 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明涉及无机‑有机杂化的超分子型非线性光学晶体[(C6H4NO2NH3+)ClO4‑]·[18‑crown‑6]及其制备方法和用途，属于光电功能材料领域；[(C6H4NO2NH3+)ClO4‑]·[18‑crown‑6]晶体属于单斜晶系，P21空间群，其晶胞参数为 |
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| 搜索关键词： | 无机 有机 杂化超 分子 非线性 光学 晶体 及其 制法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种无机‑有机杂化的超分子型非线性光学晶体，其特征在于：所述的超分子型非线性光学晶体的结构式为[(C6H4NO2NH3+)ClO4‑]•[18‑crown‑6]。
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β＝105.226(7)°，
Z＝2；[(C6H4NO2NH3+)ClO4‑]·[18‑crown‑6]非线性光学晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的1.2倍，且能够实现相位匹配；采用溶液降温法，以18‑冠醚‑6作为添加剂改善晶体生长习性，可以生长大尺寸的[(C6H4NO2NH3+)ClO4‑]·[18‑crown‑6]非线性光学晶体，晶体尺寸为10×8×3mm3；[(C6H4NO2NH3+)ClO4‑]·[18‑crown‑6]晶体具有较稳定的物化性能，易于切割加工，可用于制作非线性光学倍频器件。
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- 冀婷;高娟;崔艳霞;梁强兵;李国辉;张叶;王文艳;郝玉英 - 太原理工大学
- 2018-06-06 - 2018-11-20 - C30B29/54
- 本发明涉及光电信号转换领域，具体是种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片。一种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片，按照如下的步骤制作，步骤一、将两块玻璃板成平行关系叠放在一起，使形成一个额定距离的空间，然后将带额定距离的空间的两块玻璃板放置在第一钙钛矿前体溶液中，24‑48 h后生成额定厚度的正六边形单晶薄片种子；步骤二、挑选规则的正六边形单晶薄片种子放置在距离等于额定距离的两块平行关系叠放的玻璃板中，然后放置入第二钙钛矿前体溶液中，24 h后生成厚度等于额定厚度的正六边形单晶薄片成体。
- 一种高质量大尺寸有机-无机杂化钙钛矿单晶的制备方法-201810640065.0
- 王世伟;毕欢;李伟 - 长春工业大学
- 2018-06-21 - 2018-11-06 - C30B29/54
- 本发明公开了一种大尺寸、高质量的钙钛矿单晶制备方法。该方法不仅能获得高质量的钙钛矿单晶，同时环保无污染，对环境要求低，极大地提高了溶液的利用率。该方法是将金属卤化物和有机卤化物混合溶到溶剂中，通过逆温结晶工艺，首次引进光诱导技术，成功制备了高质量，大尺寸，多种类的有机‑无机杂化钙钛矿单晶。该方法无论是在科学研究上，还是在有机‑无机杂化钙钛矿器件大规模生产中，都有重要的意义。
- 一种制备介观尺度线条状有机晶体的方法-201610349073.0
- 蔡斌;田甜;吴晨寅;叶天明;展鹏 - 上海理工大学
- 2016-05-24 - 2018-10-12 - C30B29/54
- 本发明公开了一种制备介观尺度线条状有机晶体的方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在第一有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上进行蒸发，时间控制在5分钟以内，然后将该基板置于培养皿中培养5～20小时，有机晶体单方向生长，从而得到介观尺度线条状的有机晶体。本方法中，由于晶体析出的速度快，来不及聚合，溶液发生自组装过程，受加热基板材料的亲水性程度的影响，从而导致介观尺度线条状有机晶体的出现，而且介观尺度线条状有机晶体的大小方向根据修饰剂与有机晶体质量比、加热基板的温度和基板亲水性的改变而改变。
- 一种1;3;5-三苯基苯单晶的生长方法-201810790060.6
- 刘秀华;谭昭怡;穆龙;钟志京;周银行;胥全敏;钟文彬;胡青元 - 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
- 2018-07-18 - 2018-09-18 - C30B29/54
- 本发明公开了一种1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法，该生长方法包括称量溶剂和1,3,5‑三苯基苯原料、配制溶液、获得近饱和溶液、放入籽晶、分步降温和晶体生长。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法使用的溶剂为吡啶。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法生长的晶体为长条形无色透明的单晶，属于正交晶系，Pn21a空间群，荧光发射峰值波长为378nm，熔点174.6℃，密度1.20g/cm3。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法具有生长周期短，成品率高的优点。
- 一种形貌可控有机-无机杂化铋基晶体的合成方法-201610397867.4
- 王传义;赵赫;李英宣 - 中国科学院新疆理化技术研究所
- 2016-06-07 - 2018-09-18 - C30B29/54
- 本发明涉及一种形貌可控有机‑无机杂化铋基晶体的合成方法，该方法基于溶剂热反应形成晶体材料的原理，由铋基材料溶液合成、溶剂热晶体制备、产品洗涤及真空干燥步骤完成，本发明所述方法通过控制溶剂的种类，可控合成不同形貌的晶体。本发明提供的溶剂热制备方法具有操作简单、条件温和、工艺简单等优点；依本发明可研究溶剂对有机‑无机杂化材料结晶性和生长机理的影响，为设计和研发新型有机‑无机杂化材料提供理论依据。
- 一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法-201710996898.6
- 窦卫东 - 绍兴文理学院
- 2017-10-20 - 2018-09-11 - C30B29/54
- 一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，属于石墨烯技术领域。本发明可用于制备高性能有机场效应器件。在有机场效应器件中，石墨烯常用作电极涂层，利用石墨烯的高电导率及其对有机分子薄膜的结晶诱导作用，提高器件中载流子的注入和传输效率，从而改善器件性能。石墨烯基底通常会诱导金属酞菁分子形成垂直于石墨烯基底的π‑π堆栈结构，这种堆栈结构不利于载流子在平行于基底表面的横向方向上传输。本技术通过在石墨烯基底上修饰厚度为1纳米的铜纳米颗粒薄层，可以实现具有单晶结构，且分子π‑π堆栈方向平行于石墨烯基底的金属酞菁单晶薄膜可控生长。
- 一种对苯二甲酸钙纳米级晶须的制备方法-201810398988.X
- 张宁;滕业方 - 常州轻工职业技术学院
- 2018-04-28 - 2018-08-24 - C30B29/54
- 本发明公开了一种对苯二甲酸钙纳米级晶须的制备方法。本发明所述制备方法包括如下步骤：对苯二甲酸钠、十二烷基苯磺酸钠、硬脂酸钠、氨基硅烷偶联剂、环氧基硅烷偶联剂按照比例配制成一定浓度的溶液A；将氯化钙、聚乙二醇或2‑氨基‑2‑甲基‑1‑丙醇配制成一定浓度的溶液B；采用超声波分散与机械搅拌下，将溶液B缓慢加入到溶液A中，生成沉淀，过滤、干燥、粉碎，得到白色粉末对苯二甲酸钙纳米晶须。本发明制备的对苯二甲酸钙粒径达到纳米级别（平均粒径<50纳米），外观呈晶须状，并且在制备过程中完成表面有机物包覆，避免了团聚，改善了与树脂基体的相容性。
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