专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于钛酸钡晶体的电控光束偏转的调制方法-CN202010537740.4在审
  • 宫德维;王传智;田浩;袁承勋;孟庆鑫;周忠祥 - 哈尔滨工业大学
  • 2020-06-12 - 2020-11-03 - G02F1/29
  • 本发明的一种基于钛酸钡晶体的电控光束偏转的调制方法,属于偏转器件的设计与制备研究领域。所述调制方法包括以下步骤:启动激光器,调节光路,使光束通过半波片和傅里叶透镜到达钛酸钡晶体处;对金属电极施加高压直流电源,将电源调制到合适范围,钛酸钡晶体未有电极部分处呈现梯度电场分布,根据电光效应产生不同位置具有不同的折射率梯度分布;将钛酸钡晶体的通光面上的入射位置调至电场呈梯度分布的中线处,改变电场值,实现光束沿着中线的垂直偏转;将入射位置沿着电场呈梯度分布处的z轴方向移动,实现光束二维面内特定位置的偏转现象。本方法采用的技术手段具有体积小、成本低、操作简单和响应快的优点,具有广泛的应用前景。
  • 一种基于钛酸钡晶体光束偏转调制方法
  • [发明专利]基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法-CN201710486438.9有效
  • 宫德维;王爽;周忠祥 - 哈尔滨工业大学
  • 2017-06-23 - 2019-12-03 - G02F1/03
  • 本发明提供一种体积小、加工简单、且可根据实际需要控制偏转光束的光强分布的基于铌酸锂晶体温控的激光偏转调制方法,属于偏转器件的设计与制备研究领域。本发明基于铌酸锂晶体实现,铌酸锂晶体为长方体块体,建立xyz直角坐标系,其中y轴为晶体长度方向,x轴为晶体光轴方向;在铌酸锂晶体的一个晶面上设置金属纳米薄膜,在金属纳米薄膜z轴方向的两端设置两个金属电极;激光通过1号半波片和傅里叶透镜入射至铌酸锂晶体,在偏转元件的两个金属电极上施加直流电压,使铌酸锂晶体产生的温度梯度场;逐渐增加施加的直流电压,使激光光束在温度梯度场方向发生横向偏转,直至获得需要调制的偏转角。本发明还能利用两个铌酸锂晶体实现一维和二维偏转。
  • 基于铌酸锂晶体温控激光偏转调制方法
  • [发明专利]基于聚合物透明电极的太赫兹波段电控液晶相移器的制备方法-CN201610251983.5有效
  • 田浩;都妍;周忠祥;宫德维 - 哈尔滨工业大学
  • 2016-04-21 - 2018-09-11 - G02F1/13
  • 基于聚合物透明电极的太赫兹波段电控液晶相移器的制备方法,它涉及一种液晶相移器的制备方法。本发明的是为了解决现有材料制备过程非常复杂,成本很高的技术问题。本方法如下:一、将聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸溶于二甲基亚砜中,旋涂在石英基底一侧,得到涂膜的石英基底;二、在涂膜的石英基底的膜的上表面刷涂常温导电银胶,PI液晶取向层,垫片,得到带垫片的石英基底;三、将2片带垫片的石英基底,垫片与垫片相对,并在垫片与垫片间注入E7液晶,即得。本发明提供了一种高性能低成本、容易制作的太赫兹波段透明电极的制备方法。面电阻可达32.75‑48.13ΩSq,电导率可达775‑885S/cm。本发明属于液晶相移器的制备领域。
  • 基于聚合物透明电极赫兹波段液晶相移制备方法
  • [发明专利]利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束系统及方法-CN201310663229.9无效
  • 宫德维;周忠祥 - 哈尔滨工业大学
  • 2013-12-10 - 2014-03-12 - G02F1/03
  • 用电控二次电光效应实现入射光偏转的光学分束系统及方法,属于光学技术领域。为了解决现有光学分束方法不能实现宽波段范围、快速响应的问题,本发明使用二次电光效应钽铌酸钾晶体,当不需要对入射激光分束时,晶体上不施加外电场,激光直接透过晶体;当需要对入射激光分束时,在晶体上施加外电场,并通过二次电光效应使得入射激光中偏振方向平行于外加电场方向的偏振分量经过晶体后依次发生偏振,最终偏离原传播方向,达到分束的目的。采用本发明方法制作的光学分束器具有体积小、成本低、加工简单、响应速度快(纳秒量级)的优点,这些优点使得其应用前景非常广阔。
  • 利用二次电光效应实现入射偏转学分系统方法
  • [发明专利]利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光开关方法-CN201310618933.2无效
  • 宫德维;周忠祥 - 哈尔滨工业大学
  • 2013-11-29 - 2014-02-26 - G02F1/03
  • 利用电控二次电光效应实现入射光偏转的光开关方法,属于光学技术领域。为了解决现有光开关技术不能实现宽波段范围、快速响应的问题,具体方法为:使用二次电光效应钽铌酸钾晶体,当需要激光照射时,晶体上不施加外电场,激光直接透过晶体;当不需要激光照射时,在晶体与入射激光相垂直的两个方向上施加外电场,并通过二次电光效应使得入射激光中偏振方向平行于外加电场方向的偏振分量经过晶体后依次发生偏振,最终偏离原传播方向,达到开光的目的。采用本发明方法制作的光学开关具有体积小、成本低、加工简单、响应速度快(纳秒量级)的优点,这些优点使得其应用前景非常广阔。
  • 利用二次电光效应实现入射偏转开关方法
  • [发明专利]钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法-CN201110058798.1无效
  • 周忠祥;李磊;封雷;宫德维 - 哈尔滨工业大学
  • 2011-03-11 - 2011-08-03 - C30B29/30
  • 钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法,它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成;方法:称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀,再研磨后放在坩埚中,在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶,采用逐步降温法,即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。本发明的单晶在975nm激光的激发下产生545nm绿光和650nm红光,可用于频率上转换短波长全固态激光器领域及太阳能电池、彩色显示和生物识别等领域。
  • 钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法
  • [发明专利]电控折射率光栅实现光学图像信息处理的方法-CN201010182863.7无效
  • 宫德维;田浩;周忠祥 - 哈尔滨工业大学
  • 2010-05-26 - 2010-09-29 - G02F1/35
  • 本发明是采用电控折射率光栅方法实现光学图像的信息处理。其方法是:使两束具有相干性的光束相交后照射二次电光材料,在外加电场作用下,在二次电光材料中建立折射率光栅,在光栅建立后,即可通过外加电场控制折射率光栅。当施加外加电场时,折射率光栅显现,有拉曼-纳斯衍射产生,入射信号光图像被放大、缩小和旋转。然后用另一波长的激光器直接照射此已经记录折射率光栅的二次电光材料。当施加外加电场时,有拉曼-纳斯衍射产生,入射激光束被衍射成各阶衍射图像,相应的各阶衍射图像是被同时放大或缩小的。本发明具有速度快、体积小、方法简单、应用灵活的优点。
  • 折射率光栅实现光学图像信息处理方法
  • [发明专利]立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法-CN200810137234.5无效
  • 周忠祥;田浩;刘大军;宫德维;姜永远;侯春风;孙秀冬 - 哈尔滨工业大学
  • 2008-09-28 - 2009-02-25 - C01G35/00
  • 立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法,它涉及钽铌酸钾钠晶体及其制备方法。它解决了现有钽铌酸钾晶体产品容易开裂,顺电(立方)相钽铌酸钾晶体光学质量低,烧结温度高,耗时长,成品率低及成本高的问题。本发明立方相钽铌酸钾钠晶体的化学式为K1-yNayTa1-xNbxO3或M:K1-yNayTa1-xNbxO3。方法:一、称取原材料;二、制备钽铌酸钾钠多晶体;三、降温后引晶;四、采用顶端籽晶助溶剂法,即得。本发明是首次采用顶端籽晶助溶剂法实现了立方相钽铌酸钾钠晶体的制备。本发明得到的产品不开裂、无条纹长出、光学质量高且晶体的组分均匀,晶体的光学和机械性能好。本发明工艺简单,耗时短,烧结温度低且成本低廉。
  • 立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法

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