[发明专利]多晶硅电阻的制作方法有效
| 申请号： | 201610883973.3 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919346B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张莲莲;刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅电阻的制作方法，包括：在半导体基底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行轻掺杂工艺；对所述多晶硅层进行刻蚀，形成间隔区，所述间隔区用于分隔所述多晶硅层的第一区域和第二区域，所述间隔区环绕所述第一区域；对所述第二区域进行重掺杂工艺。根据本发明，能够尽量保证多晶硅电阻的阻值的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅电阻的制作方法，其特征在于，包括：/n在半导体基底上形成多晶硅层；/n对所述多晶硅层进行轻掺杂工艺；/n对所述多晶硅层进行刻蚀，直至露出半导体基底，形成间隔区，所述间隔区用于分隔所述多晶硅层的第一区域和第二区域，所述间隔区环绕所述第一区域；/n对所述第二区域进行重掺杂工艺。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610883973.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
