[发明专利]多晶硅电阻的制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅电阻的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行轻掺杂工艺；

对所述多晶硅层进行刻蚀，直至露出半导体基底，形成间隔区，所述间隔区用于分隔所述多晶硅层的第一区域和第二区域，所述间隔区环绕所述第一区域；

对所述第二区域进行重掺杂工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第二区域进行重掺杂工艺包括：

在多晶硅层上形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述第一区域；

以所述屏蔽层为掩膜，对所述第二区域执行重掺杂工艺；

去除所述屏蔽层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层为二氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为0.05微米-1微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述多晶硅层进行刻蚀，形成间隔区包括：

在所述多晶硅层的预设位置形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第一区域和所述第二区域；

刻蚀所述多晶硅层，直至露出所述半导体基底，形成所述间隔区；

去除所述阻挡层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体基底上形成多晶硅层包括：

在所述半导体基底上生长多晶硅层，生长温度为500℃-1000℃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为0.01微米-1微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行轻掺杂工艺包括：

对所述多晶硅层进行离子注入，注入的离子为磷离子或者硼离子，注入剂量为1×10¹²个/cm²-1×10¹⁴个/cm²，注入能量为40kev-150kev。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第二区域进行重掺杂工艺包括：

在高温炉管中采用POCl3对所述第二区域进行掺杂，所述高温炉管的工作温度为500℃-1000℃。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，在对所述第二区域进行重掺杂工艺之后，还包括：

在所述第一区域上形成第一金属层；

在所述第一区域上形成层间介质层；

在所述层间介质层上形成第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层和所述第二区域的上方；

在所述第二金属层上形成钝化层。