[发明专利]多晶硅电阻的制作方法

说明书

本发明提供一种多晶硅电阻的制作方法，包括：在半导体基底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行轻掺杂工艺；对所述多晶硅层进行刻蚀，形成间隔区，所述间隔区用于分隔所述多晶硅层的第一区域和第二区域，所述间隔区环绕所述第一区域；对所述第二区域进行重掺杂工艺。根据本发明，能够尽量保证多晶硅电阻的阻值的精确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种多晶硅电阻的制作方法。

背景技术

在半导体器件的制作工艺中，多晶硅广泛应用于MOS器件的栅极或互联等方面。同时，多晶硅也会被用作高阻值电阻，即所谓多晶硅电阻。多晶硅电阻由轻掺杂多晶硅制成，且其电阻值可以通过轻掺杂的浓度进行调节。因此，多晶硅电阻具有电阻值宽且范围可调，以及面积小等优点，逐渐成为应用广泛的电阻元件。

如图1A至1F所示，为现有技术中形成多晶硅电阻的方法。

如图1A所示，在半导体基底(图中未示出)上生长多晶硅层101，并对该多晶硅层101进行轻掺杂工艺。

如图1B所示，在多晶硅层上生长二氧化硅层102。

如图1C所示，对二氧化硅层102进行光刻工艺，露出部分多晶硅层101。

如图1D所示，以二氧化硅层102为掩膜，对多晶硅层101进行重掺杂工艺，形成重掺杂区域105。

如图1E所示，去除二氧化硅层102，露出轻掺杂区域104。

如图1F所示，对多晶硅层101进行光刻工艺以及刻蚀工艺，形成间隔区103，该间隔区103将多晶硅层101的轻掺杂区域104和重掺杂区域105分隔开。

接着，进行后续的生长介质层、接触孔刻蚀、金属层生长以及钝化层生长的工艺，完整整个多晶硅电阻的制作。

但是，现有形成多晶硅电阻的过程中，重掺杂区域105会对轻掺杂区域104产生影响。由于多晶硅电阻的制作工艺中，会有很多步的高温工艺，例如在重掺杂区域进行离子注入后需要进行高温驱散，这样，在形成重掺杂区域105之后，高温工艺会使重掺杂区105的掺杂离子扩散到轻掺杂区域104，从而影响到轻掺杂区域104的多晶硅的阻值，进而造成多晶硅电阻的阻值不精确，影响该多晶硅电阻的性能。

发明内容

本发明提供一种多晶硅电阻的制作方法，以解决现有技术中，制作多晶硅电阻的过程中，由于制作工艺所导致的阻值不精确的问题。

本发明提供一种多晶硅电阻的制作方法，包括：

在半导体基底上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行轻掺杂工艺；

对所述多晶硅层进行刻蚀，形成间隔区，所述间隔区用于分隔所述多晶硅层的第一区域和第二区域，所述间隔区环绕所述第一区域；

对所述第二区域进行重掺杂工艺。

根据如上所述的方法，可选地，所述对所述第二区域进行重掺杂工艺包括：

在多晶硅层上形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述第一区域；

以所述屏蔽层为掩膜，对所述第二区域执行重掺杂工艺；

去除所述屏蔽层。

根据如上所述的方法，可选地，所述屏蔽层为二氧化硅层。

根据如上所述的方法，可选地，所述二氧化硅层的厚度为0.05微米-1微米。

根据如上所述的方法，可选地，所述对所述多晶硅层进行刻蚀，形成间隔区包括：

在所述多晶硅层的预设位置形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第一区域和所述第二区域；