[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201610813163.0 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106449619B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;杨春艳;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/10;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层；在p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层；在第一光学反射层上形成n型电极和p型电极；对衬底、n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，芯片单元均包括两个n型电极和两个p型电极；将若干芯片单元中的n型电极和p型电极固定在支撑材料上，各个芯片单元的间距大于0；在衬底上、以及芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层；将各个芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。本发明可以满足背光源的出光要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上依次形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层；在所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层；在所述第一光学反射层上形成与所述n型Ⅲ族氮化物半导体层电连接的n型电极、以及与所述p型Ⅲ族氮化物半导体层电连接的p型电极；对所述衬底、所述n型Ⅲ族氮化物半导体层、所述有源层、所述p型Ⅲ族氮化物半导体层、所述第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，所述芯片单元均包括两个所述n型电极和两个所述p型电极；将若干所述芯片单元中的所述n型电极和所述p型电极固定在支撑材料上，各个所述芯片单元的间距大于0；在所述衬底上、以及所述芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层；将各个所述芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。
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