[发明专利]芯片封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610677535.1 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106558565A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;林俊成;卢思维;施应庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/528;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了芯片封装件及其制造方法。在一个实施例中，芯片封装件可以包括再分布层(RDL)；包括多个第一接触焊盘的第一芯片，多个第一焊盘面向RDL；设置在第一芯片和再分布层(RDL)之间的第二芯片，其中，第一芯片的一部分设置在第二芯片横向区间外部；以及与第二芯片横向分离的导电通孔，导电通孔在RDL和多个第一接触焊盘的第一接触焊盘之间延伸，第一接触焊盘位于设置在第二芯片的横向区间外部的第一芯片的部分中。本发明实施例涉及芯片封装件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装件，包括：再分布层；第一芯片，包括多个第一接触焊盘，所述多个第一接触焊盘面向所述再分布层；第二芯片，设置在所述第一芯片和所述再分布层之间，其中，所述第一芯片的部分设置在所述第二芯片的横向区间外部；以及导电通孔，与所述第二芯片横向分离，所述导电通孔在所述再分布层和所述多个第一接触焊盘的第一接触焊盘之间延伸，所述第一接触焊盘位于所述第一芯片的设置在所述第二芯片的横向区间外部的部分中。
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