[发明专利]半导体元件有效

专利信息
申请号: 201610650385.5 申请日: 2016-08-10
公开(公告)号: CN107481986B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 庄坤树 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体元件,包括:衬底、焊垫、保护层、多个凸起图案、重配置线路层以及凸块。焊垫配置于衬底上。保护层配置于衬底上。保护层具有第一开口,其暴露焊垫的部分表面。凸起图案配置于保护层上。重配置线路层配置于凸起图案上。重配置线路层自焊垫延伸至凸起图案上。凸块配置于凸起图案上。本发明技术方案凸块与凸起图案之间的金属层具有凹凸表面,相较于现有的平坦表面,可改善金属层的应力释放并减少横向的热膨胀效应。因此,可降低所述金属层及其下方的保护层之间剥落、分层或是破裂的现象,进而提升可靠度。
搜索关键词: 半导体 元件
【主权项】:
1.一种半导体元件,包括:/n焊垫,配置于衬底上;/n保护层,配置于所述衬底上,所述保护层具有第一开口,所述第一开口暴露所述焊垫的部分表面;/n多个凸起图案,配置于所述保护层上;/n重配置线路层,配置于所述多个凸起图案上,其中所述重配置线路层自所述焊垫延伸至所述多个凸起图案上;/n凸块,配置于所述多个凸起图案上,其中所述凸块包括金属柱,且所述凸块的顶面具有凹凸表面,所述凹凸表面对应于所述多个凸起图案;以及/n顶盖层,配置于所述凸块上,其中所述顶盖层的熔点小于所述凸块的熔点。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司,未经南茂科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610650385.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top