[发明专利]形成半导体图形的方法

摘要

本发明公开了一种形成半导体图形的方法，包含在光阻层上使用光罩进行微缩影工艺，其中光罩具有多个第一开孔与多个第二开孔分别位于光罩的第一区域与第二区域，其中光罩的第二区域位于光罩的边缘以及第一区域之间，且每个第一开孔的尺寸大于每个第二开孔的尺寸，其中微缩影工艺是经由第一开孔与第二开孔分别在光阻层上形成第一主要特征以及虚设特征；在光阻层中填入缩孔材料，让缩孔材料进入第一主要特征与虚设特征中，以在每个第一主要特征中分别形成第二主要特征，并封闭虚设特征；以及，使用具有第二主要特征的光阻层蚀刻基底。此种方法可使基底的每个特征的电性特性更趋一致性。

主权项

一种形成半导体图形的方法，其特征在于，包含：在光阻层上使用光罩进行微缩影工艺，其中所述光罩具有多个第一开孔与多个第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔分别位于所述光罩的第一区域与第二区域，其中所述第二区域位于所述光罩的边缘以及所述第一区域之间，且每个第一开孔的尺寸大于每个第二开孔的尺寸，其中所述微缩影工艺是经由所述多个第一开孔与所述多个第二开孔分别在所述光阻层上形成多个第一主要特征与多个虚设特征；在所述光阻层中填入缩孔材料，让所述缩孔材料进入所述多个第一主要特征与所述多个虚设特征中，以在所述多个第一主要特征中分别形成第二主要特征，并封闭所述多个虚设特征；以及使用具有所述多个第二主要特征的所述光阻层蚀刻基底。