[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含导电结构、介电层，及多个导电特征。介电层位于导电结构上，并具有多个通孔(through hole)，且至少一通孔曝露导电结构。导电特征分别位于通孔中。至少一导电特征具有一底表面及至少一侧壁。导电特征的底表面及侧壁交会以形成一内角。两个相邻的导电特征的内角之间的差异约小于3度或实质上约等于3度。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一导电结构，包含一栅极结构及一硅化物接触点；一介电层，位于该导电结构上，其中该介电层包含一第一部分及一第二部分，该第二部分位于该第一部分及该导电结构上方，其中该介电层中具有一第一通孔及一第二通孔，且该第一通孔穿过该第一部分和该第二部分并曝露该硅化物接触点，而该第二通孔穿过该第二部分并曝露该栅极结构；以及多个导电特征，分别位于该第一通孔及该第二通孔内，其中所述多个导电特征分别具有一底表面、至少一侧壁以及由该底表面与该侧壁交会形成的一内角，且相邻两所述导电特征的所述内角之间的差异小于3度或等于3度，其中所述多个导电特征是由以下方法制成：在不进行除气制程的情况下，于该介电层上形成一金属硬质遮罩，其中用于除气制程的一温度为150℃至500℃，且该金属硬质遮罩是在该介电层的一初始温度为15℃至30℃下形成的；图案化该金属硬质遮罩；通过该图案化的金属硬质屏蔽对该介电层进行图案化以在该介电层内形成该第一通孔及该第二通孔，其中该第一通孔穿过该第一部分和该第二部分并曝露该导电结构的该硅化物接触点，而该第二通孔穿过该第二部分并曝露该导电结构的该栅极结构；以及在该第一通孔和该第二通孔内形成所述多个导电特征。