[发明专利]异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610319919.6 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106169507B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 大川峰司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/778;H01L27/098;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;范琏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法。一种异质结半导体装置包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层。所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结半导体装置，其特征在于包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在所述势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层，其中所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构，其中在所述凹凸结构的所述p型半导体层的凸区域中，所述p型半导体层和所述栅电极通过绝缘层彼此接合。
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