[发明专利]半导体图像接收装置有效
申请号: | 201610307746.6 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN105938825B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 藤井宣年;香川恵永 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/522;H01L25/065;H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体图像接收装置,其包括:第一半导体部件,其包括光电转换层和第一配线层,第一配线层包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极;第二半导体部件,其包括第二配线层,第二配线层包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极,第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内,第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内,并与光电转换层电气独立地配置,第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内,并与所述第一电极焊盘接合,且第二虚设电极埋在第二层间绝缘膜内,并与第一虚设电极接合。本发明中的半导体图像接收装置具有更可靠的接合面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 图像 接收 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体图像接收装置,其包括:第一半导体部件,其包括光电转换层和第一配线层,所述第一配线层包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极;第二半导体部件,其包括第二配线层,所述第二配线层包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极,其中,所述第一电极焊盘埋在所述第一层间绝缘膜内,并具有与所述第一层间绝缘膜的表面在同一侧上的表面,所述第一虚设电极埋在所述第一层间绝缘膜内,具有与所述第一层间绝缘膜的所述表面在同一侧上的表面,并与所述光电转换层电气独立地配置,所述第二电极焊盘埋在所述第二层间绝缘膜内,具有与所述第二层间绝缘膜的表面在同一侧上的表面,并且与所述第一电极焊盘接合,并且所述第二虚设电极埋在所述第二层间绝缘膜内,具有与所述第二层间绝缘膜的所述表面在同一侧上的表面,并与所述第一虚设电极接合,其中,所述第一虚设电极布置在所述第一电极焊盘之间,且所述第二虚设电极布置在所述第二电极焊盘之间。
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