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[发明专利]摄像器件-CN202180048719.0在审
发明人： 香川恵永;堀越浩;羽根田雅希;中泽寛;亀嶋隆季 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明实施方案的摄像器件包括：第一配线层；第一绝缘膜；和第二绝缘膜。所述第一配线层包括沿一个方向延伸的多条第一配线。所述多条第一配线各者的在与延伸方向正交的截面中的一个表面的至少一个端部处具有切口。所述第一绝缘膜覆盖所述第一配线层的正面。所述第二绝缘膜层叠在所述第一绝缘膜上。所述第二绝缘膜在彼此相邻的所述多条第一配线之间形成了空隙。
摄像器件

[发明专利]半导体装置和电子设备-CN202110762936.8在审
发明人：铃木丽菜;松沼健司;城直树;香川恵永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及在通过伪配线保持贴合接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动的半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备。半导体装置包括：两个以上芯片，每个芯片在其接合面上形成有用于建立电连接的配线，通过接合彼此相对的接合面来层叠这些芯片。在半导体器件中，通过周期性地重复地布置包括共有同一浮动扩散触点的多个像素的每个共用单元来设置区域。在接合面上，在该区域的中心位置以共用单元的间距来设置伪配线。本技术可以应用于CMOS图像传感器。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备-CN201680010860.0有效
发明人：铃木丽菜;松沼健司;城直树;香川恵永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及在通过伪配线保持贴合接合强度的同时，能够抑制因伪配线而引起的电容量变动所造成的特性变动的半导体装置、固态成像元件、成像装置和电子设备。半导体装置包括：两个以上芯片，每个芯片在其接合面上形成有用于建立电连接的配线，通过接合彼此相对的接合面来层叠这些芯片。在半导体器件中，通过周期性地重复地布置包括共有同一浮动扩散触点的多个像素的每个共用单元来设置区域。在接合面上，在该区域的中心位置以共用单元的间距来设置伪配线。本技术可以应用于CMOS图像传感器。
半导体装置固态成像元件电子设备

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN202110188871.0在审
发明人： 香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
半导体装置固体摄像器件

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN201480053552.7有效
发明人： 香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：上侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层；以及下侧基板，其包括Si基板和层叠于该Si基板上的布线层，所述下侧基板被接合至所述上侧基板。此外，在所述上侧基板中形成有引线接合用或探测用焊盘，而且，在位于所述引线接合用或探测用焊盘与所述下侧基板的所述Si基板之间的各个所述布线层中以呈放射状层叠的方式设置有用于保护所述引线接合用或探测用焊盘的拐角部分或侧边部分的焊盘。本技术能够被应用于固体摄像器件。
半导体装置固体摄像器件

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201980042098.8在审
发明人：川岛宽之;中邑良一;香川恵永;小林悠作 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的半导体装置设置有：第一基板，其具有第一接合部；和第二基板，其具有接合至第一接合部的第二接合部。第一基板进一步包括第一多层配线层，其隔着第一绝缘层电连接至第一接合部，在第一多层配线层中，第一配线的一个表面面向第一绝缘层，第一配线形成在最靠近与第二基板的接合面的一侧，并且与该一个表面相对的另一表面与第二绝缘层接触，第二绝缘层的相对介电常数低于第一绝缘层的相对介电常数。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和固体摄像器件-CN201910897516.3在审
发明人： 香川恵永;藤井宣年;深沢正永;金口时久;萩本贤哉;青柳健一;三桥生枝 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本技术涉及能够以更简单的方式来提高抗裂性的半导体装置和固体摄像器件。所述半导体装置具有：第一基板，其具有多个布线层；以及第二基板，其具有多个布线层，并且被接合至第一基板，其中，在第一基板和第二基板中的一个基板中设置有焊盘，在焊盘与以最靠近另一个基板的方式位于所述另一个基板侧上的布线层之间在各布线层中设置有由金属形成的金属布线，并且在与所述焊盘或所述金属布线相邻的位于所述另一个基板侧上的布线层中，在处于上一层中的所述焊盘或所述金属布线的至少拐角部分处设置有其它的金属布线，其中，所述其它的金属布线在所述拐角部分处与处于所述上一层中的所述焊盘或所述金属布线的边缘重叠。本技术能够被应用于固体摄像器件。
金属布线布线层焊盘基板第一基板固体摄像器件半导体装置第二基板拐角边缘重叠金属形成接合抗裂性应用

[发明专利]半导体图像接收装置-CN201610307746.6有效
发明人：藤井宣年;香川恵永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体图像接收装置，其包括：第一半导体部件，其包括光电转换层和第一配线层，第一配线层包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极；第二半导体部件，其包括第二配线层，第二配线层包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内，第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，并与光电转换层电气独立地配置，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，并与所述第一电极焊盘接合，且第二虚设电极埋在第二层间绝缘膜内，并与第一虚设电极接合。本发明中的半导体图像接收装置具有更可靠的接合面。
半导体图像接收装置

[发明专利]层叠型装置、制造方法及电子设备-CN201580052391.4在审
发明人： 香川恵永;藤井宣年;松沼健司 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够抑从一个基板中产生的噪音对另一个基板造成的影响的层叠型装置、制造方法和电子设备。在一个基板的接合面上形成第一金属层，在与所述一个基板层叠的另一个基板的接合面上形成第二金属层。通过接合一个基板的金属层和另一个基板的金属层并由此固定电位，在一个基板和另一个基板之间形成用于阻断电磁波的电磁波屏蔽结构。例如，本发明可以应用于例如层叠型CMOS图像传感器。
层叠装置制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201280021467.3有效
发明人：藤井宣年;香川恵永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：第一半导体装置包括：第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的一个表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。第二半导体装置包括：包括第一电极的第一半导体部，第一电极在更靠近接合界面的表面上形成并在第一方向上延伸；和包括第二电极并被配置成在所述接合界面处与第一半导体部贴合的第二半导体部，第二电极与第一电极接合并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
半导体装置

[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置-CN201210233277.X有效
发明人： 香川恵永;青柳健一;萩本贤哉;藤井宣年 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。
半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN201110075771.3有效
发明人： 香川恵永 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储器件及其制造方法。该存储器件包括：存储层，每个存储单元的所述存储层均被隔离，所述存储层通过电阻值的变化存储信息；离子源层，其形成为使得每个存储单元的所述离子源层均被隔离，并形成为层叠在所述存储层上，所述离子源层包含Cu、Ag、Zn、Al和Zr中的至少一种元素以及Te、S和Se中的至少一种元素；绝缘层，其隔离每个存储单元的所述存储层和所述离子源层；及防扩散阻挡部，其设于每个存储单元的所述存储层和所述离子源层的周围以防止元素的扩散。根据本发明的存储器件即使在器件小型化时仍能够稳定操作。
存储器件及其制造方法

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