[发明专利]半导体封装组件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610302315.0 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106169459A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;萧景文;彭逸轩 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装组件及其形成方法，可以提高设计时的灵活性。其中，该半导体封装组件包括：第一封装和第二封装，并且该第二封装接合至该第一封装。其中，该第一封装包括：第一组件和第一RDL(重分布层)结构，该第一RDL结构耦接至该第一组件并且该第一RDL结构含有第一导电线路。该第二封装包括：第二组件和第二RDL结构。其中，该第二RDL结构耦接至该第二组件并且该第二RDL结构含有第二导电线路，其中该第二导电线路直接接触前述的第一导电线路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 组件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装组件，其特征在于，包括第一封装和第二封装，该第二封装接合至该第一封装；其中，该第一封装包括：第一组件和第一重分布层结构，该第一重分布层结构耦接至该第一组件，并且该第一重分布层结构包括：第一导电线路；其中，该第二封装包括：第二组件和第二重分布层结构，该第二重分布层结构耦接至该第二组件，并且该第二重分布层结构包括：第二导电线路，直接接触该第一导电线路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610302315.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
