[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架有效
申请号: | 201610236159.2 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN106531712B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 石井齐 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能抑制引线发生多余变形的半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤:一面挤压第1内引线,一面使推压构件压抵于第2内引线的布线部的上表面而使布线部的至少一部分变形,且将第1内引线的延伸方向上的端部与布线部之间的连结部切断并且使布线部与端部相离;搭载半导体芯片;形成第1及第2接合线;形成密封树脂层;将支撑部与第1及第2外引线之间的连结部切断。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 引线 框架 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括如下步骤:一面挤压引线框架的第1内引线,一面将推压构件压抵于布线部的上表面而使所述布线部的至少一部分变形,将所述第1内引线的延伸方向上的端部与所述布线部之间的连结部切断,并且使所述布线部远离所述端部,该引线框架包含包括第1外引线和从所述第1外引线延伸的所述第1内引线的第1引线、包括第2外引线和从所述第2外引线延伸的第2内引线的第2引线、及连结于所述第1外引线和所述第2外引线的支撑部,所述第2内引线包含与所述第1内引线的延伸方向上的所述端部连结的所述布线部;将包括第1电极垫和第2电极垫的半导体芯片搭载于所述引线框架上;形成将所述第1电极垫与所述第1引线电连接的第1接合线、和将所述第2电极垫与所述第2引线电连接的第2接合线;形成对所述第1内引线、所述第2内引线、所述半导体芯片、所述第1接合线、及所述第2接合线进行密封的密封树脂层;及将所述支撑部与所述第1外引线及所述第2外引线之间的连结部切断。
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