[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610065037.1 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106952955A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;刘盈成;吴家荣;李怡慧;黄志森 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，然后形成一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构于基底上，形成一第一外延层于第一鳍状结构上以及一第二外延层于第二鳍状结构上，接着形成一遮盖层于第一外延层及第二外延层上，其中第一外延层及第二外延层之间的一距离介于遮盖层厚度的二倍至遮盖层厚度的四倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构于该基底上；形成一第一外延层于该第一鳍状结构上以及一第二外延层于该第二鳍状结构上；以及形成一遮盖层于该第一外延层及该第二外延层上，其中该第一外延层及该第二外延层之间的一距离介于该遮盖层厚度的二倍至该遮盖层厚度的四倍。
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