[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底；

形成一第一鳍状结构以及一第二鳍状结构于该基底上；

形成一第一外延层于该第一鳍状结构上以及一第二外延层于该第二鳍状结构上；以及

形成一遮盖层于该第一外延层及该第二外延层上，其中该第一外延层及该第二外延层之间的一距离介于该遮盖层厚度的二倍至该遮盖层厚度的四倍。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成一浅沟隔离于该基底上并环绕该第一鳍状结构及该第二鳍状结构；

形成该第一外延层于该第一鳍状结构上以及该第二外延层于该第二鳍状结构上；以及

形成该遮盖层于该第一外延层、该第二外延层及该浅沟隔离上。

3.如权利要求2所述的方法，其中该第一外延层包含一倒V型上表面以及一V型下表面。

4.如权利要求3所述的方法，另包含：

形成一介电层于该第一外延层、该第二外延层及该浅沟隔离上；

去除部分该介电层以形成一接触洞暴露该第一外延层、该第二外延层及部分该浅沟隔离并使部分该遮盖层残留于该V型下表面及该浅沟隔离之间。

5.如权利要求4所述的方法，其中残留于该V型下表面及该浅沟隔离之间的该遮盖层为V型。

6.如权利要求4所述的方法，另包含形成一接触插塞于该接触洞内，其中该接触插塞接触该浅沟隔离及设于该V型下表面及该浅沟隔离之间的该遮盖层。

7.如权利要求4所述的方法，另包含使剩余的该介电层设于该V型下表面及该浅沟隔离之间。

8.如权利要求7所述的方法，另包含形成一接触插塞于该接触洞内，其中该接触插塞接触该浅沟隔离及设于该V型下表面及该浅沟隔离之间的该介电层。

9.一种半导体元件，包含：

基底；

鳍状结构，设于该基底上；

浅沟隔离，设于该基底上并环绕该鳍状结构；

外延层，设于该鳍状结构上；以及

遮盖层，设于该外延层及该浅沟隔离之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该外延层包含一倒V型上表面以及一V型下表面。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该遮盖层是设于该V型下表面及该浅沟隔离之间。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该遮盖层为V型。

13.如权利要求10所述的半导体元件，另包含介电层，设于该V型下表面及该浅沟隔离之间。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该介电层接触该遮盖层。

15.如权利要求13所述的半导体元件，另包含接触插塞，设于该外延层上并接触该浅沟隔离及设于该V型下表面及该浅沟隔离之间的该介电层。

16.如权利要求10所述的半导体元件，另包含接触插塞，设于该外延层上并接触该浅沟隔离及设于该V型下表面及该浅沟隔离之间的该遮盖层。

17.如权利要求9所述的半导体元件，其中该遮盖层是选自由SiN、SiCN以及SiCON所构成的群组。