[发明专利]半导体芯片、半导体器件以及电子器件有效
| 申请号： | 201580082935.1 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108028234B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 福地一博 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01M10/44;H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了提高半导体器件的可靠性，在一个实施方式中的半导体芯片中，在形成于半导体芯片背面的背面电极的露出面上形成有凹凸形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 半导体器件 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：形成有第1功率晶体管的半导体衬底；形成于所述半导体衬底的第1面且与所述第1功率晶体管电连接的第1表面电极；形成于所述半导体衬底的所述第1面且与所述第1功率晶体管电连接的第2表面电极；以及形成于所述半导体衬底的与所述第1面为相反侧的第2面且与所述第1功率晶体管电连接的背面电极，在所述背面电极的表面上形成有凹凸形状。
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