[发明专利]形成氧化石墨烯-还原氧化石墨烯结的方法有效
| 申请号： | 201580058942.8 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107112216B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 魏迪;M·艾伦 | 申请（专利权）人： | 诺基亚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01M4/04;H01M6/40;H01M10/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张曦 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法包括：沉积步骤，包括沉积氧化石墨烯层；沉积步骤，包括将沉积的氧化石墨烯层的区域选择性地暴露于电磁辐射以形成与相邻的未暴露的氧化石墨烯区域邻近的还原氧化石墨烯区域，氧化石墨烯区域和邻近的还原氧化石墨烯区域在它们之间形成结，以产生氧化石墨烯‑还原氧石墨烯结层；以及针对在下方氧化石墨烯‑还原氧化石墨烯结层之上的一个或多个另外的相应氧化石墨烯层来重复沉积步骤和暴露步骤以产生一种装置，在该装置中氧化石墨烯‑还原氧化石墨烯层的相应结当一起被考虑时在第三维度中延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化 石墨 还原 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：沉积步骤，包括沉积氧化石墨烯层；暴露步骤，包括将沉积的所述氧化石墨烯层的区域选择性地暴露于电磁辐射以形成与相邻的未暴露的氧化石墨烯区域邻近的还原氧化石墨烯区域，所述氧化石墨烯区域和邻近的还原氧化石墨烯区域在它们之间形成结，以产生氧化石墨烯‑还原氧石墨烯结层；以及针对在下方氧化石墨烯‑还原氧化石墨烯结层之上的一个或多个另外的相应氧化石墨烯层重复所述沉积步骤和所述暴露步骤，以产生一种装置，在所述装置中所述氧化石墨烯‑还原氧化石墨烯层的所述相应结当一起被考虑时在第三维度中延伸。
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- 一种方法包括：沉积步骤，包括沉积氧化石墨烯层；沉积步骤，包括将沉积的氧化石墨烯层的区域选择性地暴露于电磁辐射以形成与相邻的未暴露的氧化石墨烯区域邻近的还原氧化石墨烯区域，氧化石墨烯区域和邻近的还原氧化石墨烯区域在它们之间形成结，以产生氧化石墨烯‑还原氧石墨烯结层；以及针对在下方氧化石墨烯‑还原氧化石墨烯结层之上的一个或多个另外的相应氧化石墨烯层来重复沉积步骤和暴露步骤以产生一种装置，在该装置中氧化石墨烯‑还原氧化石墨烯层的相应结当一起被考虑时在第三维度中延伸。
- 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质-202010107820.6
- 本田拓巳;香川兴司 - 东京毅力科创株式会社
- 2020-02-21 - 2020-09-08 - H01L21/263
- 本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
- 一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法-201811088560.1
- 吕玲;严肖瑶;习鹤;曹艳荣;马晓华;张进成 - 西安电子科技大学
- 2018-09-18 - 2020-09-08 - H01L21/263
- 本发明涉及一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法，包括在预设的辐照温度、质子注量和质子能量的条件下，对AlGaN/GaN HEMT器件进行质子辐照。本发明实施例采用一定注量和能量的质子对AlGaN/GaN HEMT器件进行辐照，入射的质子会填充器件中存在的固有点缺陷，从而减小缺陷密度，降低缺陷对载流子的捕获，增加电荷密度，减少了栅泄露电流，提高了器件的最大饱和电流和跨导，进而改善了器件的电学性能。
- 蚀刻方法-202010081380.1
- 松崎荣 - 株式会社迪思科
- 2020-02-06 - 2020-08-21 - H01L21/263
- 提供蚀刻方法，能够准确且容易地检测被加工物的金属薄膜的一部分被去除规定的厚度的时机。该蚀刻方法通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的第1导电层的一部分去除规定的厚度，其中，该蚀刻方法具有如下的步骤：准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于基材上并具有与规定的厚度对应的厚度，该一对导线部分别连接于第2导电层；蚀刻步骤，通过蚀刻将位于一对导线部间的第2导电层的一部分去除规定的厚度，并且将被加工物的第1导电层的一部分去除；以及检测步骤，根据一对导线部间的电阻，将第2导电层的一部分被去除的时机检测为第1导电层被去除规定的厚度的时机。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
