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[发明专利]一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆-CN202310664916.6有效
发明人：王蓉;刘晓双;皮孝东;钱怡潇;陈方远;王万堂;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。
一种裂纹碳化硅制备方法

[发明专利]一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法-CN202211407660.2在审
发明人：王蓉;钱怡潇;李国峰;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种测算碳化硅晶片氮浓度的方法，通过计算碳化硅晶片表面的第一接触电势φsample；再通过建立第一接触电势φsample对应碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的第一关系式得到碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值；建立碳化硅晶片的导带底能量Ec和费米能级能量Ef的差值对应碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的第二关系式得到碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n的具体值；建立碳化硅晶片在平衡时的电子浓度n对应氮浓度ND的第三关系式得到碳化硅晶片氮浓度n的具体值；使得通过表面电势的测试结果得到碳化硅的氮含量，为生产过程提供了便利，提高了测试效率。
一种测算碳化硅晶片浓度方法

[实用新型]一种晶圆表面粗糙度自动检测系统-CN202221469959.6有效
发明人：皮孝东;钱怡潇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆表面粗糙度自动检测系统，包括：显微镜、机械手臂和晶圆装置；晶圆装置用于存放多个晶圆，显微镜用于对放置在样品台上的晶圆表面的粗糙度进行检测，机械手臂用于依次将存放在所述晶圆装置中的晶圆取出并移动放置到所述显微镜的样品台上再将检测完成的所述晶圆移动存放到所述晶圆装置中。通过使用本实用新型提高了测试效率，降低了晶圆在转移过程中被污染的风险。
一种表面粗糙自动检测系统

[发明专利]一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法-CN202210715862.7在审
发明人：王蓉;高万冬;皮孝东;钱怡潇;李佳君;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅检测技术领域，特别涉及一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，包括：利用X射线衍射仪对碳化硅样品进行逐点的X射线摇摆曲线面扫描，摇摆曲线面的X射线的晶面入射角范围至少覆盖对应的碳化硅缺陷检测角度和碳化硅多型检测角度；获取碳化硅样品每一个检测点的X射线的摇摆曲线，基于摇摆曲线的特征来检测碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布；根据碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布分析不同晶型对缺陷的影响。利用所述方法可以准确直观的反映出不同的缺陷类型，以及缺陷、不同晶型在晶体中的分布，从而为晶体缺陷质量的改善提供更重要的反馈。
一种射线衍射检测碳化硅缺陷方法

[发明专利]一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜-CN202210154304.8有效
发明人：皮孝东;钱怡潇;王蓉;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本发明涉及扫描显微成像技术领域，公开了一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜，第一激光束依次通过滤光片、光阑和第一透镜、第一单色仪汇聚后，打到探针的悬梁臂和样品上，样品表面发出的荧光信号入射到第二单色仪，经由光电转换器将荧光信号转换为电信号后，对电信号进行放大并发送至数据采集单元；第二激光束透过第二透镜打到探针的悬梁臂并打在样品上的同一点上，经第三透镜收集后入射至SPM探测器，转换为电信号输入至SPM信号采集器；通过移动探针或/和样品实现对所述样品表面的扫描。本发明装置可以很快的定位到样品的缺陷位置，对于表面缺陷和无法在表面看到的缺陷，不需要再通过两个以上的装置进行重复检测。
一种适用于半导体缺陷定位扫描探针显微镜

[发明专利]无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置-CN202210428181.2在审
发明人：王蓉;高万冬;皮孝东;钱怡潇;李佳君;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开一种无损检测半导体缺陷演变方法、系统及装置，方法包括：获取至少两种波长的单色激发光照射于待检测半导体形成的光致发光光谱图像，其中，每种波长的单色激发光照射在待检测半导体的同一区域；判断每个光致发光光谱图像中是否在特定波长范围内存在光谱特征峰；若存在，则通过光谱特征峰的形态确定出对应的缺陷类型；将所述缺陷类型与相应的深度进行关联，得到待检测半导体缺陷的纵向分布，进而得到同一区域内不同缺陷类型之间的相互演化。得到待检测半导体同一区域不同深度的缺陷，进而得到纵向的变化，能够直接研究缺陷的起源并且得到不同缺陷之间的相互演化，从而为晶体缺陷质量的改善提供重要的参考。
无损检测半导体缺陷演变方法系统装置

[发明专利]与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统-CN202210156964.X在审
发明人：皮孝东;钱怡潇;王蓉;高万冬;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
扫描探针显微镜联用系统快速定位方法

[发明专利]一种IVB族原子和铝共掺制备p型4H-SiC的方法-CN202110475998.0有效
发明人：皮孝东;徐所成;王蓉;黄渊超;钱怡潇;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
一种 ivb 原子铝共掺制备 sic 方法

[发明专利]一种适用于化学强化的高铝磷硅酸盐玻璃及化学钢化玻璃-CN202010024859.1有效
发明人：赵高凌;钱怡潇;朱钦塨;宋斌;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C03C6/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于化学强化的高铝磷硅酸盐玻璃以及由该玻璃制备的化学钢化玻璃，以氧化物形式计，该高铝磷硅酸盐玻璃的原料组成至少包括：二氧化硅、三氧化二铝、五氧化二磷和澄清剂，以原料的总重量计，三氧化二铝的含量不低于25％；五氧化二磷通过磷酸二氢铵引入；澄清剂选自(NH4)2SO4。该玻璃具有超高的表面维氏硬度值，化学强化前已经不低于650MPa，经化学强化后更高达1577MPa，完全满足现行对电子玻璃的需求。
一种适用于化学强化高铝磷硅酸盐玻璃钢化玻璃

[发明专利]一种Ⅱ-型核壳结构量子点及其制备方法和应用-CN201810385108.5有效
发明人：赵高凌;卢王威;占丰;钱怡潇;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅱ‑型核壳结构量子点及其制备方法和在制备量子点敏化光电极中的应用，所述Ⅱ‑型核壳结构量子点包括壳层与核层，组成为CdZnTe@CdS，所述元素Cd与元素Zn的摩尔比为0.15～1.8：1。本发明公开了一种新型的核壳结构量子点，在低厚度的CdS壳层下获得了Ⅱ型核壳结构。以该结构的量子点制备的量子点敏化光电极的光捕获能力得到显著提高，而光生电子的注入效率并未受到影响，以此制备的量子点敏化太阳能电池有望具有更加优异的光电转化效率。
核壳结构量子点制备量子点敏化光电极壳层量子点敏化太阳能电池制备方法和应用光电转化效率光生电子注入效率光捕获摩尔比核层应用

[实用新型]一种玻璃退火工艺用模具-CN201820426689.8有效
发明人：赵高凌;占丰;钱怡潇;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C03B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻璃退火工艺用模具，包括底板和四块侧板，所述四块侧板分为两组，每组中两块侧板形状相同且相对布置，所述底板与所述四块侧板围成密封的模腔，两组侧板中，一组为固定侧板，一组为活动侧板；所述固定侧板上沿中轴线两侧对称排布有至少四个螺纹孔；所述活动侧板上沿中轴线两侧对称排布有至少两个螺纹孔；所述固定侧板与所述活动侧板通过连接件可拆卸地连接。本实用新型提供了一种玻璃退火工艺用模具，该模具型腔的尺寸可以根据实际要求进行调节，从而获得不同尺寸的玻璃制品，以满足该玻璃制品的多样化需求。
块侧玻璃退火固定侧板活动侧板模具底板本实用新型玻璃制品对称排布螺纹孔中轴线两组模具型腔相对布置板形状地连接可拆卸连接件板围侧板模腔密封

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