专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果28个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201811227807.3有效
  • 小野泽勇一;泷下博;吉村尚 - 富士电机株式会社
  • 2014-06-17 - 2023-06-30 - H01L21/263
  • 首先,在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着,通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12),来调整载流子寿命。接着,对n‑型半导体基板的背面进行研磨,使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后,从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质,在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14),在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着,通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化,之后形成阴极电极。因而,不会使漏电流增加,且不会使制造线发生污染,能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880003267.2有效
  • 泷下博;吉村尚 - 富士电机株式会社
  • 2018-01-30 - 2023-05-05 - H01L21/265
  • 从n型半导体基板(10)的背面照射短波长激光器的激光(31),使p+型集电区(12)和n+型阴极区(13)活化。此时,n型半导体基板(10)的背面的表面层熔融而再结晶化,几乎不存在无定形化了的部分。其后,从n型半导体基板(10)的背面照射长波长激光器的激光(32),使n型FS区域(11)活化。由于在n型半导体基板(10)的背面的表面层几乎不存在无定形化了的部分,所以能够抑制长波长激光器的激光(32)的吸收率降低和/或高反射率化,由长波长激光器的激光(32)产生的热传递到n型FS区域(11),能够使n型FS区域(11)可靠地活化。由此,能够通过更低能量下的激光退火使预定区域活化。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180030637.3在审
  • 谷口竣太郎;吉村尚;泷下博;内田美佐稀 - 富士电机株式会社
  • 2021-11-11 - 2022-12-23 - H01L29/739
  • 本发明提供一种半导体装置,其具备:半导体基板,其设置有漂移区;以及缓冲区,其配置在漂移区与下表面之间,并且浓度比漂移区的浓度高,掺杂浓度分布具有最深斜坡,所述最深斜坡的掺杂浓度在从半导体基板的下表面朝向上表面的方向上单调地减小到与漂移区相接的位置,缓冲区中的氢化学浓度分布在设置有最深斜坡的第一深度范围内具备:第一减小部,其氢化学浓度朝向上表面侧减小;第二减小部,其位于比第一减小部更靠上表面侧的位置,并且氢化学浓度减小;以及中间部,其配置在第一减小部与第二减小部之间,中间部具有氢化学浓度分布均匀的平坦部、氢化学浓度的斜坡内峰、或者氢化学浓度的转折部。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202180030568.6在审
  • 内田美佐稀;吉村尚;泷下博;谷口竣太郎;野口晴司;樱井洋辅 - 富士电机株式会社
  • 2021-11-15 - 2022-12-06 - H01L29/739
  • 本发明提供一种半导体装置,其具备:缓冲区,其掺杂浓度比体施主浓度高;第一低浓度氢峰,其配置于缓冲区;第二低浓度氢峰,其在缓冲区配置在比第一低浓度氢峰更靠近下表面的位置;高浓度氢峰,其在缓冲区配置在比第二低浓度氢峰更靠近下表面的位置,并且氢化学浓度比所述第二低浓度氢峰高;平坦区,其包括第一低浓度氢峰与第二低浓度氢峰之间的区域、以及设置有第二低浓度氢峰的区域,所述平坦区的掺杂浓度高于体施主浓度,并且掺杂浓度的平均值是第二低浓度氢峰与高浓度氢峰之间的掺杂浓度的极小值以下。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置和制造方法-CN202210347147.2在审
  • 樱井洋辅;野口晴司;吉村尚;泷下博;内田美佐稀 - 富士电机株式会社
  • 2022-04-01 - 2022-10-18 - H01L29/739
  • 本发明提供半导体装置和制造方法,在深度方向上较长地形成高浓度区。半导体装置设置有IGBT,并具备:半导体基板,其具有上表面和下表面,且整体地分布有体施主;氢峰,其氢化学浓度示出极大值,并包含在深度方向上距半导体基板的下表面25μm以上而配置的顶点、氢化学浓度从顶点朝向上表面减小的上侧拖尾、以及氢化学浓度从顶点朝向下表面且比上侧拖尾平缓地减小的下侧拖尾;以及第一高浓度区,其施主浓度高于体施主浓度且包含从氢峰的顶点朝向上表面延伸4μm以上的区域。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880005380.4有效
  • 吉村尚;泷下博;宫原清一 - 富士电机株式会社
  • 2018-06-07 - 2022-05-31 - H01L21/336
  • 用抗蚀保护膜(22)保护表面电极(7)和聚酰亚胺保护膜(8)的表面。接着,在将BG胶带(23)贴附于抗蚀保护膜(22)的状态下对半导体基板(10)进行背面磨削而减薄到产品厚度(t)。接下来,在剥离BG胶带(23)之后,在半导体基板(10)的磨削后的背面的表面层形成预定的扩散区。接下来,以100℃以上的温度将抗蚀保护膜(22)加热,使抗蚀保护膜(22)中的水蒸发。接下来,从半导体基板(10)的背面照射激光(25),进行半导体基板(10)的背面侧的扩散区的杂质活化。接着,除去半导体基板(10)的正面的抗蚀保护膜(22')。这样,在对半导体晶片的一个主面进行用于杂质活化的热处理时,能够抑制保护半导体晶片的另一个主面的抗蚀保护膜(22')的变质和/或剥落、变形。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180005544.5在审
  • 内田美佐稀;吉村尚;泷下博;洼内源宜;根本道生 - 富士电机株式会社
  • 2021-04-01 - 2022-05-10 - H01L29/739
  • 提供一种半导体装置,其具备:第一导电型的缓冲区,其配置于半导体基板的下表面侧,并具有两个以上的掺杂浓度峰;第一导电型的高浓度区,其配置于缓冲区与半导体基板的上表面之间,在深度方向上具有50μm以上的长度,且施主浓度比体施主浓度高;以及第一导电型或第二导电型的下表面区域,其配置于缓冲区与半导体基板的下表面之间,且掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高,缓冲区的掺杂浓度峰中的最接近半导体基板的下表面的最浅掺杂浓度峰是浓度比其他的掺杂浓度峰高的氢施主的浓度峰,最浅掺杂浓度峰的峰浓度A与其他的掺杂浓度峰的平均峰浓度B之比A/B为200以下。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201880002603.1有效
  • 阿形泰典;吉村尚;泷下博 - 富士电机株式会社
  • 2018-01-15 - 2021-08-31 - H01L29/739
  • 提供具有缓冲区的半导体装置。半导体装置具备:第一导电型的半导体基板;第一导电型的漂移层,其设置于半导体基板;以及缓冲区,其设置于漂移层,具有多个第一导电型的掺杂浓度的峰,缓冲区具有:第一峰,其具有预先确定的掺杂浓度,且在多个峰中设置于最靠近半导体基板的背面侧的位置;以及高浓度峰,其具有比第一峰的掺杂浓度高的掺杂浓度,设置于比第一峰靠半导体基板的上表面侧的位置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710307511.1有效
  • 泷下博;吉村尚;宫崎正行;栗林秀直 - 富士电机株式会社
  • 2012-12-14 - 2021-02-05 - H01L29/739
  • 从作为n漂移层的n型半导体基板的背面重复进行多次质子照射,在n漂移层的基板背面侧的内部,形成电阻比n型半导体基板低的n型FS层。进行用于形成该n型FS层的多次质子照射时,为了补偿前次的质子照射中残留的无序(7)所导致的迁移率降低,进行下次的质子照射。此时,对于第二次之后的质子照射,以利用其前一次的质子照射形成的无序(7)的位置为目标进行质子照射。由此,即使在质子照射和热处理后,也能够形成无序(7)也少、能够抑制漏电流的增加等的特性不良的产生、并且具有高浓度的氢相关施主层的n型FS层。
  • 半导体装置制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top