[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510860542.0 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105977218B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 鬼木悠丞;巫凯雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/18 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构，包括：半导体元件；及钝化层，包括硫化铟形成于半导体元件的表面上，其中半导体元件的表面包括铟基三五族化合物半导体材料。本公开亦提供此半导体结构的制造方法。本公开通过形成一硫化铟钝化层，以提供较佳的铟基半导体表面的品质，齐聚有较低的界面态(Dit)密度、较低的肖特基阻障高度(Schottky barrier height)、且可抑制原生氧化物层的形成等等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一半导体表面；于该半导体表面上以一第一水溶液进行湿式化学氧化步骤，以形成一氧化物层于该半导体表面上，其中该第一水溶液包括氨‑过氧化氢；及于该氧化物层上以一第二水溶液进行硫化步骤，以形成一硫化物层于该半导体表面上，其中该第二水溶液包括硫化铵，其中该硫化物层包括硫化铟，且该硫化物层于厚度上包括至少三个单层的硫化铟。
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