[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201510713921.7 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390551B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;曹占锋;关峰;姚琪;张斌;高锦成;何晓龙;孙雪菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决低温多晶硅薄膜晶体管漏电流大、功耗高的问题。其中，所述薄膜晶体管包括半导体层，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层层叠设置，所述第一半导体层的材料为低温多晶硅，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率。前述薄膜晶体管用于阵列基板中，驱动像素点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 薄膜晶体管 阵列基板 载流子迁移率 显示装置 低温多晶硅薄膜晶体管 低温多晶硅 漏电流 像素点 功耗 半导体 制造 驱动 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括半导体层，其特征在于，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层层叠设置，所述第一半导体层的材料为低温多晶硅，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率；所述第一半导体层包括：沟道区，及分别位于所述沟道区两侧的第一重掺杂区和第二重掺杂区；所述第二半导体层在所述沟道区上的正投影位于所述沟道区内；所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道区对应设置的栅极，与所述第一重掺杂区电接触的源极，及与所述第二重掺杂区电接触的漏极。
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