[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括半导体层，其特征在于，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层层叠设置，所述第一半导体层的材料为低温多晶硅，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率；

所述第一半导体层包括：沟道区，及分别位于所述沟道区两侧的第一重掺杂区和第二重掺杂区；

所述第二半导体层在所述沟道区上的正投影位于所述沟道区内；

所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道区对应设置的栅极，与所述第一重掺杂区电接触的源极，及与所述第二重掺杂区电接触的漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的材料包括金属氧化物半导体、金属氮化物半导体、金属氮氧化物半导体和非晶硅中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的材料包括铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟锌氧化物、铟锡氧化物、氧化锌、氧化锡、镓锌氧化物、锌的氮氧化物、锡的氮氧化物中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度为5nm～200nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的结构为多层薄膜的层叠结构或单层薄膜结构。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层位于所述第一半导体层的上方。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层还包括：位于所述第一重掺杂区与所述沟道区之间的第一轻掺杂区，及位于所述沟道区与所述第二重掺杂区之间的第二轻掺杂区。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层的沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，所述第一半导体层还包括位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的第三重掺杂区；

所述第二半导体层包括第三沟道区和第四沟道区，所述第三沟道区在所述第一沟道区上的正投影位于所述第一沟道区内，所述第四沟道区在所述第二沟道区上的正投影位于所述第二沟道区内；

所述栅极包括：与所述第一沟道区对应设置的第一栅极，及与所述第二沟道区对应设置的第二栅极。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区还包括：位于所述第一重掺杂区与所述第一沟道区之间的第一轻掺杂区，位于所述第一沟道区与所述第三重掺杂区之间的第二轻掺杂区，位于所述第三重掺杂区与所述第二沟道区之间的第三轻掺杂区，及位于所述第二沟道区与所述第二重掺杂区之间的第四轻掺杂区。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括形成半导体层的步骤，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层层叠设置，所述第一半导体层的材料为低温多晶硅，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率；

形成所述第一半导体层包括：形成沟道区，及分别位于所述沟道区两侧的第一重掺杂区和第二重掺杂区；

形成所述第二半导体层在所述沟道区上的正投影位于所述沟道区内；

形成所述薄膜晶体管还包括：形成与所述沟道区对应设置的栅极，与所述第一重掺杂区电接触的源极，及与所述第二重掺杂区电接触的漏极。

11.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为如权利要求1～9任一项所述的薄膜晶体管。

12.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为如权利要求11所述的阵列基板。