[发明专利]高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺有效
| 申请号： | 201510669808.3 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105226030B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 许为新;杨旭东;李东华;马捷 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L23/08 | 分类号： | H01L23/08;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/872;H01L21/60 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250014*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺，二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接。所述封装工艺采用芯片真空焊接、键合丝超声键合等工艺，使该二极管强度高、漏电小、芯片工作温度低，可靠性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 大功率 碳化硅 二极管 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高压大功率碳化硅二极管封装结构，包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，其特征在于：所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接；所述导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。
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