[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括半导体基材、隔离层、第一导体层、第一导体层、接触插塞、多个绝缘层、多个第二导体层、通道层以及存储层。隔离层位于半导体基材上。第一导体层位于隔离层上接触插塞穿过隔离层且与第一导体层和半导体基材电性接触。多个绝缘层位于第一导体层上。多个第二导体层与绝缘层交错叠层，且和第一导体层电性隔离。通道层位于第一贯穿开口的至少一个侧壁与底面上，并与接触插塞电性接触，其中第一贯穿开口穿过绝缘层和第二导体层，而将接触插塞暴露于外。存储层位于通道层与第二导体层之间。

主权项

1.一种存储器元件，包括：一半导体基材；一隔离层，位于该半导体基材上；一第一导体层，位于该隔离层上；一接触插塞，穿过该隔离层且与该第一导体层和该半导体基材电性接触；多个绝缘层，位于该第一导体层上；多个第二导体层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导体层电性隔离；一通道层，位于一第一贯穿开口的至少一侧壁与一底面上，并与该接触插塞电性接触，其中该第一贯穿开口穿过这些绝缘层和这些第二导体层，而将该接触插塞暴露于外；以及一存储层，位于该通道层与这些第二导体层之间。