[发明专利]存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器元件，包括：

一半导体基材；

一隔离层，位于该半导体基材上；

一第一导体层，位于该隔离层上；

一接触插塞，穿过该隔离层且与该第一导体层和该半导体基材电性接触；

多个绝缘层，位于该第一导体层上；

多个第二导体层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导体层电性隔离；

一通道层，位于一第一贯穿开口的至少一侧壁与一底面上，并与该接触插塞电性接触，其中该第一贯穿开口穿过这些绝缘层和这些第二导体层，而将该接触插塞暴露于外；以及

一存储层，位于该通道层与这些第二导体层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该存储层包括：

一隧穿氧化层，位于该第二导体层与该通道层之间；

多个浮置栅电极，分别位于每一这些第二导体层与该隧穿氧化层之间；以及

多个栅间隔层，分别位于每一该浮置栅电极与这些第二导体层对应之一者之间。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该存储层包括一氧化硅-氮化硅-氧化硅结构，且位于该第一贯穿开口的该侧壁上，并且夹设于该存储层与这些第二导体层之间。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括：

一间隙壁介电层，位于一第二贯穿开口的至少一侧壁上，其中该第二贯穿开口穿过这些绝缘层和这些第二导体层，将该第一导体层暴露于外；以及

一金属插塞，位于该第二贯穿开口中，与该第一导体层电性接触，且通过该间隙壁介电层与这些第二导体层电性隔离；且该接触插塞具有实质高于该第一导体层的一顶面。

5.一种存储器元件的制作方法，包括：

于一半导体基材上形成一隔离层；

于该隔离层上形成一第一导体层；

提供一多层叠层结构，使该多层叠层结构具有多个绝缘层和多个牺牲层相互叠层于该第一导体层上，并使这些牺牲层和该第一导体层隔离；

形成至少一第一贯穿开口，穿过该多层叠层结构、该第一导体层以及该隔离层，将这些绝缘层、这些牺牲层和该半导体基材部分地暴露于外；

进行一选择性沉积工艺，以于该第一贯穿开口的一底部形成一接触插塞，与该第一导体层和该半导体基材电性接触；

于该第一贯穿开口的至少一侧壁上依序形成一存储层和一通道层，使该存储层夹设于该通道层与剩余的这些牺牲层之间，并且使该通道层与该接触插塞电性接触；

形成至少一第二贯穿开口，穿过该多层叠层结构，使该第一导体层、这些绝缘层以及剩余的这些牺牲层部分地暴露于外；

通过该第二贯穿开口移除剩余的这些牺牲层；以及

于剩余的这些牺牲层的位置上，形成多个第二导电层。

6.根据权利要求5所述的存储器元件的制作方法，其中形成该存储层的步骤包括：

通过该第一贯穿开口移除一部分这些牺牲层，藉以在这些绝缘层之间定义出多个第一凹室；

氧化每一这些牺牲层暴露于外的一部分，以于每一这些第一凹室中形成一间隔层；

形成多个浮置栅电极，分别填充每一这些第一凹室；以及

形成一隧穿氧化层，覆盖于这些绝缘层和这些浮置栅电极经由该第一贯穿开口暴露于外的部分上。

7.根据权利要求5所述的存储器元件的制作方法，其中在形成该存储层的步骤，包括于该第一贯穿开口的该侧壁上形成一氧化硅-氮化硅-氧化硅结构。