[发明专利]半导体结构与其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510425590.7 申请日: 2015-07-20
公开(公告)号: CN105990285B 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 施信益;吴铁将 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/482;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体结构与其制备方法。该半导体结构包含基板、第一穿孔与第二穿孔。第一穿孔设置在基板中并填充导电材料,而第二穿孔同样设置在基板中并填充绝缘材料,且绝缘材料的杨氏模量小于导电材料的杨氏模量以平衡导电材料产生的应力。借此,绝缘材料可具有优异的弹性以平衡或抵消导电材料产生的应力并防止基板产生翘曲。
搜索关键词: 半导体 结构 与其 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包含:基板;第一穿孔,其设置在所述基板中并填充导电材料;以及第二穿孔,其设置在所述基板中并填充绝缘材料,且所述绝缘材料的杨氏模量小于所述导电材料的杨氏模量以平衡导电材料产生的应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510425590.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top