[发明专利]半导体结构与其制备方法有效
申请号: | 201510425590.7 | 申请日: | 2015-07-20 |
公开(公告)号: | CN105990285B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 施信益;吴铁将 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/482;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体结构与其制备方法。该半导体结构包含基板、第一穿孔与第二穿孔。第一穿孔设置在基板中并填充导电材料,而第二穿孔同样设置在基板中并填充绝缘材料,且绝缘材料的杨氏模量小于导电材料的杨氏模量以平衡导电材料产生的应力。借此,绝缘材料可具有优异的弹性以平衡或抵消导电材料产生的应力并防止基板产生翘曲。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 与其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包含:基板;第一穿孔,其设置在所述基板中并填充导电材料;以及第二穿孔,其设置在所述基板中并填充绝缘材料,且所述绝缘材料的杨氏模量小于所述导电材料的杨氏模量以平衡导电材料产生的应力。
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