[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510311627.3 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN106252391B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 冯立伟;蔡世鸿;刘鸿辉;林昭宏;黄南元;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一基底，一第一鳍状结构与一第二鳍状结构位于该基底上，一第一绝缘区，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间，一第二绝缘区，位于该第一鳍状结构相对于该第一绝缘区另外一侧的基底中，以及至少一外延层，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构侧边，其中该外延层具有一底面，该底面至少从该第一鳍状结构延伸至该第二鳍状结构，且该底面低于该第一绝缘区的一底面以及该第二绝缘区的一顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含:基底，包含第一鳍状结构与第二鳍状结构，位于该基底上；第一绝缘区，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构之间；第二绝缘区，位于该第一鳍状结构相对于该第一绝缘区另外一侧的基底中；以及至少一外延层，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构侧边，其中该外延层具有一底面，该底面至少从该第一鳍状结构延伸至该第二鳍状结构，且该底面低于该第一绝缘区的一底面以及该第二绝缘区的一顶面。
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