[发明专利]具有应力管理的半导体异质结构有效
| 申请号： | 201510179524.6 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105006505B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | D·D·比林斯利;R·M·肯尼迪;孙文红;R·杰因;M·莎塔洛维;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有应力管理的半导体异质结构。提供了一种异质结构，包括：衬底；和在所述衬底上外延生长的族III氮化物层，其中，所述族III氮化物层包括：第一族III氮化物材料和具有第一厚度的多个子层；和第二族III氮化物材料和具有第二厚度的多个薄子层，以及其中，所述多个子层与所述多个薄子层交替，其中，所述第一族III氮化物材料包括至少0.05的镓的摩尔分数，其中，所述第一族III氮化物材料中的镓的摩尔分数与所述第一族III氮化物材料中镓的摩尔分数有至少0.05的差异，且其中，所述第二厚度是所述第一厚度的最多百分之五。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 管理 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种异质结构，包括：衬底；和在所述衬底上外延生长的N型族III氮化物层，其中，所述N型族III氮化物层包括：第一族III氮化物材料和具有第一厚度的多个子层；和第二族III氮化物材料和具有第二厚度的多个薄子层，以及其中，所述多个子层与所述多个薄子层交替，其中，所述第一族III氮化物材料包括至少0.05的镓的摩尔分数，其中，所述第一族III氮化物材料中的镓的摩尔分数超过所述第二族III氮化物材料中镓的摩尔分数至少0.05，且其中，所述第二厚度是所述第一厚度的最多百分之五。
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- 本发明公开了一种氮化镓基深紫外LED的有源区结构，可增强光的提取效率。该结构由五个周期的量子阱构成，每个量子阱由充当势垒的高铝组分AlGaN层和充当势阱的AlN/GaN超晶格组成。该结构的发光波长处于深紫外范围（224～247nm)，可通过改变超晶格中AlN和GaN的厚度调节。该有源区结构用于c面深紫外LED,可改善发射光的空间分布，使从外延片表面发出的光占主导，从而提高LED的表面发光强度。与具有相同发光波长的传统深紫外LED的有源区相比，本发明提出的深紫外LED有源区结构具有更高的表面发光强度，从而提高深紫外LED的光提取效率。
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- 黄常刚;李京波;李庆跃;吴宗泽;李凯;李树深;夏建白;褚君尉;刘建哲;徐良 - 浙江东晶博蓝特光电有限公司
- 2014-03-21 - 2017-03-22 - H01L33/30
- 本发明涉及一种衬底图形化的方法，具体方法是一种用于生长半导体薄膜的图形化衬底的制备方法，其特征在于首先在经洁净处理的衬底表面生长一层薄膜，然后在薄膜的表面生长出晶格结构与该薄膜一致的纳米棒阵列，最后采用等离子体对生长了纳米棒阵列的衬底进行干法刻蚀，刻蚀后对衬底上残留的纳米棒阵列和薄膜进行溶解剥离处理就得到了图形化的衬底。本发明在衬底上形成具有一定规律分布的图形，同时可以根据预设图形通过控制氧化锌纳米棒的形貌和尺寸来形成不同形貌和尺寸的衬底图形，从而进行图形形貌控制，更有效的降低外延薄膜的位错和缺陷密度，有利于提高器件的物理特性和寿命，本发明可以用于蓝宝石、硅片、SiC等衬底的图形化。
- 近红外发光二极管及其制造方法-201410015583.5
- 林志伟;陈凯轩;蔡建九;张永;林志园;尧刚;姜伟 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2014-01-14 - 2016-10-26 - H01L33/30
- 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自上而下依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
- 基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法-201510509287.5
- 许晟瑞;郝跃;任泽阳;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华 - 西安电子科技大学
- 2015-08-18 - 2015-12-16 - H01L33/30
- 本发明公开了一种基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性a面GaN黄光发光二极管。
- 一种P型低缺陷碳化硅外延片的制备方法-201510309580.7
- 钮应喜;杨霏 - 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司
- 2015-06-08 - 2015-10-21 - H01L33/30
- 本发明提供一种P型低缺陷碳化硅外延片的制备方法，包括步骤：衬底的准备、在线刻蚀衬底、缓冲层的生长和外延层的生长，其中外延层的生长采用了“生长、刻蚀、吹拂、再生长”的方法。该方法有效地降低了基面位错密度，减少腔体内沉积物，降低了碳化硅外延表面的缺陷密度，提高了碳化硅外延材料的质量；且其适合范围广，加工成本低，适合工业化生产。
- 一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法-201510240317.7
- 王庶民;潘文武;李耀耀;王朋;王凯;吴晓燕;崔健 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2015-05-12 - 2015-07-29 - H01L33/30
- 本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi和Ga的元素百分含量分别为1.6％和2.3％时，该材料室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.4～2.7μm，半峰宽达到600nm，同时在Ga元素的补偿作用下，其晶格常数与InP衬底接近匹配。本发明报道的InGaPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InGaPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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