[发明专利]3DIC互连器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510099992.2 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105280610B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡纾婷;林政贤;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连器件和形成互连器件的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过衬底中的一个的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成一个或多个介电膜。在使用一些焊盘作为硬掩模的同时，形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。用导电材料填充第一开口和第二开口以形成导电插塞。本发明涉及3DIC互连器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 互连器件 焊盘 集成电路 导电材料填充 导电插塞 接合 介电膜 硬掩模 侧壁 衬底 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一衬底，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；浅沟槽隔离区，形成在所述第一衬底内；第一垂直堆叠的互连件，形成在所述第一衬底的所述第一侧上的相应的第一介电层内；第二衬底，具有第三侧和与所述第三侧相对的第四侧，所述第一衬底的所述第一侧面对所述第二衬底的所述第三侧；第二互连件，形成在所述第二衬底的所述第三侧上的相应的第二介电层内；以及导电插塞，从所述第一衬底的所述第二侧延伸至所述第二互连件的第一导电部件，所述导电插塞延伸穿过所述浅沟槽隔离区和所述第一垂直堆叠的互连件的至少两个导电部件；其中，随着所述导电插塞由浅沟槽隔离区的第一侧延伸至浅沟槽隔离区的第二侧，所述导电插塞的宽度变窄；其中所述浅沟槽隔离区的第二侧为所述浅沟槽隔离区距离所述第一垂直堆叠的互连件最近的一侧。
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